Fe/AlOx-NOLを用いたNCMR素子におけるマイクロ波発振の特徴
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概要
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We investigated Spin Torque Oscillation (STO) excited by spin-polarized currents in Current-Perpendicular-to-Plane (CPP) spin-valve devices with Fe/AlOx-Nano-Oxide Layer (NOL) that had Nano-Contact MagnetoResistance (NCMR). From the R-H curve, at the applied current, the magnetization state of the free layer is affected by an Oersted field and Spin Transfer Torque (STT). At positive current, the dependence of applied field demonstrated a blue shift, while, at negative current it demonstrated a red shift. Under 250-350 Oe multiple modes, low-level oscillations and wide FWHM were observed, while, under 360-500 Oe single modes, high-level oscillations and narrow FWHM were observed at positive current. Moreover, under 250-350 Oe, the dependence of applied current on oscillation frequency demonstrated a red or blue shift, while, under 360-500 Oe, it demonstrated blue shift. The blue shift oscillations under the applied current were considered to have originated from coherent out-of-plane precession near nano-contacts on the free layer side.
- 社団法人 日本磁気学会の論文
著者
-
福家 ひろみ
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリー
-
岩崎 仁志
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
土井 正晶
東北大工
-
田中 俊行
東北大学・大学院工学研究科・電子工学専攻
-
遠藤 広明
東北大学・大学院工学研究科・電子工学専攻
-
土井 正晶
東北大学・大学院工学研究科・電子工学専攻
-
佐橋 政司
東北大学・大学院工学研究科・電子工学専攻
-
岩崎 仁志
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
株式会社東芝・研究開発センター
-
福家 ひろみ
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
株式会社東芝・研究開発センター
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