電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果(垂直記録及び一般)
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概要
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極薄酸化物層(NOL: Nano-Oxide-Laver)をスペーサ層に挿入した、電流狭窄(CCP: Ciurent-Confmed-Path)型CPP-GMRスピンバルブ膜を実現することに成功した。AICu-NOLをイオンアシスト酸化法(IAO: Ion-Assisted Oxidation)で形成することで、RA=500mΩμm^2、MR変化率=5.4%と、CPP-GMR特性を大幅に改善することができた。Valet-Fertモデルを用いた計算により、NOL挿入によるMR変化率の増大は電流狭窄(CCP)効果によるものであり、IAOを用いたことによるMR変化率の大幅な改善は、CCP構造のCuメタルパスの純度が良好になったことに起因することがわかった。Cuメタルパス純度のさらなる改善によって、RAが300mΩμm^2の低抵抗においても、MR変化率が30%以上の値が期待できる。CCP-CPPスピンバルブ膜は200〜400Gbpsi級の高密度記録用再生ヘッドの有力候補である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-01
著者
-
高岸 雅幸
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
高岸 雅幸
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
鴻井 克彦
(株)東芝研究開発センター
-
福澤 英明
株式会社東芝 研究開発センター
-
湯浅 裕美
株式会社東芝 研究開発センター
-
鴻井 克彦
株式会社東芝 研究開発センター
-
田中 陽一郎
株式会社東芝 コアテクノロジーセンター
-
福澤 英明
東芝研究開発センター
-
湯浅 裕美
東芝研究開発センター
-
田中 陽一郎
(株)東芝コアテクノロジーセンター
-
田中 陽一郎
株式会社東芝
-
岩崎 仁志
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
高岸 雅幸
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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