FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果(垂直磁気記録及び一般)
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概要
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Alナノオキサイドレイヤー(Nano-oxide layer, NOL)中にFeCoナノコンタクトを持つCPPスピンバルブ素子で7〜10%の磁気抵抗効果(MR)を0.5〜1.5Ωμm^2の単位面積あたりの抵抗(R4)範囲で達成した.Conductive atomic-force-microscopy観察の結果,そのCPPスピンバルブ素子のAl-NOL中に数ナノメーターサイズの伝導パスが存在することが明らかとなった.さらに,Current-confined-path(CCP)モデルによる計算の結果,MR比vs. RA特性はピンホールTMR (Tunnel magnetoresistance)とは異なりFeCoナノコンタクトでスピン依存散乱していると解釈できることが判明した.また,抵抗のバイアス電圧依存性がジュール発熱による抵抗の増加を示したことから,ナコンタクトに電流が主に流れる金属伝導であると想定される.これらのことから,今回観測したMRは強磁性ナノコンタクト部で形成されている磁壁での散乱による磁壁MRと解釈される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
三宅 耕作
東北大工
-
高岸 雅幸
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター
-
河崎 昌平
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
三宅 耕作
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
岩崎 仁志
東芝研究開発センター
-
佐橋 政司
(株)東芝 研究開発センター
-
佐藤 政司
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
佐橋 政司
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
-
佐橋 政司
東北大工
-
岩崎 仁志
(株)東芝
-
三宅 耕作
東北大学大学院工学研究科
-
高岸 雅幸
(株)東芝
-
福家 ひろみ
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻
-
佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科
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