福澤 英明 | 東芝研究開発センター

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概要

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関連著者

• 福澤 英明

  東芝研究開発センター

• 岩崎 仁志

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 佐藤 政司

  (株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所

• 湯浅 裕美

  東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 福澤 英明

  (株)東芝研究開発センター

• 鴻井 克彦

  (株)東芝研究開発センター

• 岩崎 仁志

  (株)東芝

• 岩崎 仁志

  東芝研究開発センター

• 高岸 雅幸

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 佐橋 政司

  (株)東芝 研究開発センター

• 佐橋 政司

  東北大工

• 湯浅 裕美

  (株)東芝研究開発センター

• 上口 裕三

  株式会社東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  (株)東芝

• 福澤 英明

  株式会社東芝 研究開発センター

• 高岸 雅幸

  (株)東芝

• 岩崎 仁志

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 鴻井 克彦

  (株)東芝 デジタルメディアネットワーク社

• 福家 ひろみ

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 鴻井 克彦

  株式会社東芝 研究開発センター

• 福澤 英明

  東芝 研究開発センター

• 岩崎 仁志

  東芝 研究開発センター

• 佐橋 政司

  東芝 研究開発センター

• 高岸 雅幸

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 湯浅 裕美

  株式会社東芝 研究開発センター

• 田中 陽一郎

  株式会社東芝 コアテクノロジーセンター

• 岩崎 仁志

  東芝, 研究開発センター

• 鴻井 克彦

  東芝, 研究開発センター

• 福澤 英明

  東芝, 研究開発センター

• 上口 裕三

  東芝, 研究開発センター

• 佐橋 政司

  東芝, 研究開発センター

• 甲野藤 真

  産総研

• 中村 新一

  (株)東芝研究開発センター

• 甲野 藤真

  産総研エレクトロニクス研究部門

• 船山 知己

  (株)東芝,研究開発センター

• 鴻井 克彦

  東芝 研究開発センター

• 田中 陽一郎

  (株)東芝コアテクノロジーセンター

• 上口 裕三

  東芝 研究開発センター

• 船山 知己

  (株)東芝デジタルメディアネットワーク社

• 田中 陽一郎

  株式会社東芝

• 船山 知己

  (株)東芝 デジタルメディアネットワーク社

• 高岸 雅幸

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 宝野 和博

  物質・材料研究機構

• 福家 ひろみ

  (株)東芝研究開発センター

• 伊藤 順一

  (株)東芝研究開発センター

• 遠藤 広明

  東北大学大学院工学研究科

• 土井 正晶

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 泰洋

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 富田 宏

  東芝, 研究開発センター

• 福家 ひろみ

  東芝, 研究開発センター

• 湯浅 ひろみ

  東芝, 研究開発センター

• 鴻井 克彦

  東芝研究開発センター

• 福家 ひろみ

  東芝研究開発センター

• 上口 裕三

  東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  東芝研究開発センター

• 吉川 将寿

  (株)東芝 研究開発センター

• 上口 裕三

  (株)東芝研究開発センター, 材料・デバイス研究所

• 高橋 有紀子

  物質・材料研究機構

• 宝野 和博

  (独)物質・材料研究機構

• 宝野 和博

  物材機構

• 吉川 将寿

  東芝 研究開発センター

• 甲野藤 真

  産総研エレクトロニクス研究部門

• 高橋 有紀子

  (独)物質・材料研究機構 磁性材料センターさきがけ-jst

• 湯浅 裕美

  東芝 研究開発センター

• 高岸 雅幸

  東芝 研究開発センター

• 佐橋 政司

  株式会社東芝研究開発センター

• 黒崎 義成

  株式会社東芝研究開発センター

• 原 通子

  株式会社東芝研究開発センター

• 中村 新一

  東芝 研開セ

• 中村 新一

  (株)東芝

• 宝野 和博

  物質・材料研究機構 磁性材料セ

• 土井 正晶

  東北大工

• 宝野 和博

  物質・材料研究機構材料研究所ナノ組織解析グループ

• 中村 新一

  東芝 研究開発センター

• 湯浅 ひろみ

  東芝 研究開発センター

• 富田 宏

  東芝 研究開発センター

• 福家 ひろみ

  (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 藤 慶彦

  東芝研究開発センター

• 原 通子

  東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻

• 伊藤 順一

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科

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著作論文

• 22pGL-2 スピンSEMを用いた磁性多層膜の90°層間結合状態に関する可視化解析(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-2 スピンSEMを用いた磁性多層膜の90°層間結合状態に関する可視化解析(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• CCP-NOLを用いたCPP-GMRスピンバルブ膜(「磁性薄膜作製技術」)
• 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果
• 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果(垂直記録及び一般)
• Fe_Co_-NOLの磁気構造解析と90°結合
• スピンフィルタフリーを用いたNOLスペキュラスピンバルブGMRヘッド
• スピンフィルター効果のフリー層構成による比較
• CPP型スピンバルブ薄膜におけるGMR増大効果
• CPP-GMRの高記録密度用ヘッドへの適用検討
• CPP-GMRの高記録密度用ヘッドへの適用検討(シミュレーション及び一般)
• スピンバルブ構造をもつ極薄CoFeフリー層の磁歪 : 磁気ヘッド
• 極薄CoFeフリー層の飽和磁歪
• スピンフィルタースピンバルブGMRヘッド
• CCP-NOLを有するCPP-GMR膜のMR変化率とナノ微細構造の関係(スピンエレクトロニクス)
• 3DアトムプローブによるCPP-GMRスピンバルブ膜のナノ電流パス構造の観察
• 電流狭窄型ナノオキサイドレイヤーを用いたCPPスピンバルブ膜 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
• Current-Confined-Path(CCP) CPP-GMR スピンバルブ膜の微細構造観察
• スピンバルブ型CPP-GMRのMRエンハンスメント : メタルベーススピンバルブにおける磁性層の役割
• Ion-assisted oxidationによる極薄FeCo系酸化物を有するスペキュラースピンバルブ膜の高性能化
• スピンバルブ型CPP-GMRのMRエンハンスメント : メタルベーススピンバルブにおける磁性層の役割
• Ion-assisted oxidationによる極薄FeCo系酸化物を有するスペキュラースピンバルブ膜の高性能化
• 高密度記録GMRヘッド対応の磁区制御技術
• 狭トラック幅GMRヘッド対応のハードバイアス膜
• 高感度及び高速応答の磁界センサを実現するZnウスタイト スピンフィルタ素子
• Znウスタイトスピンフィルタリング層による磁気抵抗効果の増大

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