福家 ひろみ | (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリの論文著者

関連著者

• 福家 ひろみ

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  東芝研究開発センター

• 福家 ひろみ

  (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 福家 ひろみ

  (株)東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 佐藤 政司

  (株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所

• 佐橋 政司

  東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 高岸 雅幸

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  (株)東芝

• 佐橋 政司

  (株)東芝 研究開発センター

• 山田 健一郎

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 福家 ひろみ

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリー

• 佐橋 政司

  東北大工

• 高岸 雅幸

  (株)東芝

• 橋本 進

  (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 福家 ひろみ

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科

• 高岸 雅幸

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 遠藤 広明

  東北大学大学院工学研究科

• 土井 正晶

  東北大学大学院工学研究科

• 福澤 英明

  東芝研究開発センター

• 斎藤 和浩

  (株)東芝 研究開発センター

• 斉藤 和浩

  (株)東芝研究開発センター

• 上口 裕三

  株式会社東芝研究開発センター

• 土井 正晶

  東北大工

• 山田 健一郎

  (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 高岸 雅幸

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 鴻井 克彦

  (株)東芝研究開発センター

• 岩崎 仁志

  東芝, 研究開発センター

• 福家 ひろみ

  東芝, 研究開発センター

• 佐橋 政司

  東芝, 研究開発センター

• 佐橋 政司

  (株)東芝

• 橋本 進

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 三宅 耕作

  東北大工

• 河崎 昌平

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 三宅 耕作

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 福澤 英明

  (株)東芝研究開発センター

• 白藤 和茂

  東北大学大学院工学研究科

• 鈴木 裕章

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 泰洋

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 和泉 正人

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 鴻井 克彦

  東芝, 研究開発センター

• 福澤 英明

  東芝, 研究開発センター

• 富田 宏

  東芝, 研究開発センター

• 上口 裕三

  東芝, 研究開発センター

• 湯浅 ひろみ

  東芝, 研究開発センター

• 鴻井 克彦

  東芝研究開発センター

• 福家 ひろみ

  東芝研究開発センター

• 上口 裕三

  東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  東芝研究開発センター

• 吉川 将寿

  (株)東芝 研究開発センター

• 大沢 裕一

  (株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所

• 上口 裕三

  (株)東芝研究開発センター, 材料・デバイス研究所

• 斉藤 明子

  東芝, 研究開発センター, 材料デバイス研究所

• 吉川 将寿

  東芝 研究開発センター

• 大沢 裕一

  (株)東芝 研究開発センター:東北大学 電気通信研究所

• 白藤 和茂

  東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 鈴木 裕章

  東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 斉藤 明子

  東芝 研究開発センター 材料デバイス研究所

• 三宅 耕作

  東北大学大学院工学研究科

• 溝口 徹彦

  (株)東芝 材料部品開発試作センター

• 湯浅 ひろみ

  東芝 研究開発センター

• 澤邊 厚仁

  (株)東芝研究開発センター

• 富田 宏

  東芝 研究開発センター

• 溝口 徹彦

  (株)東芝

• 溝口 徹彦

  (株)東芝研究開発センター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システムおよび一般)
• 垂直通電スピンバルブ型ナノコンタクト磁気抵抗効果膜
• スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システムおよび一般)
• スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システム及び一般)
• FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果(垂直磁気記録及び一般)
• FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果 (マルチメディアストレージ)
• DWMR素子のR-H曲線へのセンス電流の影響とマイクロ波の発振
• Fe_Co_-NOLの磁気構造解析と90°結合
• スペキュラスピンバルブにおけるCoFe-NOLの交換結合磁界
• スピンフィルタフリーを用いたNOLスペキュラスピンバルブGMRヘッド
• スピンフィルター効果のフリー層構成による比較
• IrMn交換結合特性の膜厚依存性と結晶構造の関係
• PtMnスピンバルブ膜の規則化挙動と膜厚依存性
• IrMn/CoFeスピンバルブGMRのピン磁化耐熱性
• IrMn/CoFeスピンバルブGMRの耐熱性
• IrMn 反強磁性膜を用いた CoFe スピンバルブ
• 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システム及び一般)
• 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性
• γ型IrMn反強磁性膜を用いたスピンバルブGMRヘッド
• 31p-PSB-41 エピタキシャルFe膜の構造と磁気特性
• 高分解能・高SNを両立する再生ヘッドの将来技術

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク