IrMn/CoFeスピンバルブGMRの耐熱性
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概要
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The thermal stability of the pinned layer magnetization of IrMn/CoFe spin-valves, compared with PtMn/CoFe spin-valves, was investigated by measuring a decrease in unidirectionial anisotropy (H_<UA>) after annealing at various temperatures under a large applied magnetic field of 5 kOb, which can perfectly reverse the magnetic moment direction of the pinned layer. The high H_<UA> is obtained at above 6 nm IrMn film thickness for the IrMn spin-valved and at above 20 nm PtMn film thickness for PtMn spin-valves at room temperature. Good thermal stability can be obtained for both spin-valves. The pinned layer magnetization of IrMn spin-valves is found to be very stable under the opposite applied magnetic field at temperatures below 150℃, though the blocking temperature of the IrMn/CoFe spin-valves is about 300℃ which is lower than that of the PtMn/CoFe spin-valves and the H_<UA> of the IrMn spin-valves is also smaller than that of the PtMn spin-valves.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1998-02-01
著者
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福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
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福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター
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上口 裕三
(株)東芝研究開発センター, 材料・デバイス研究所
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上口 裕三
株式会社東芝研究開発センター
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福家 ひろみ
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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