1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システムおよび一般)
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概要
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平方インチあたり2テラビット(2Tb/in^2)から5テラビット(5Tb/in^2)の記録密度のハードディスク(HDD)を実現するにあたり,垂直通電型MR素子(CPP-MR素子)に要求される特性を,シミュレーションを用いて見積もった.その際,スピン・トランスファー・トルク(STT)と熱磁気ノイズの評価も行った.これらの記録密度では素子サイズが10.5nmと,非常に小さくなり,0.3μm^2以下の低面積抵抗(RA)が必須であることが分かった.特に低面積抵抗(RA)のMR素子では,STTによるノイズの影響が大きく,それを避ける為に,RAは0.1-0.3Ω・μm^2程度まで大きくするほうが良い.また,素子サイズが小さくなると,熱磁気ノイズの,ノイズ全体に占める割合が大きくなる.2Tb/in^2ではまだ,メディアノイズに比べて大きくはないが,5Tb/in^2では,メディアノイズと同程度まで大きくなり,深刻な問題になる可能性が高い.
- 2010-06-10
著者
-
高岸 雅幸
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
山田 健一郎
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
福家 ひろみ
(株)東芝研究開発センター
-
岩崎 仁志
東芝研究開発センター
-
岩崎 仁志
(株)東芝
-
高岸 雅幸
(株)東芝
-
福家 ひろみ
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
山田 健一郎
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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