電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果
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概要
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- 映像情報メディア学会の論文
- 2004-07-08
著者
-
高岸 雅幸
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
高岸 雅幸
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
鴻井 克彦
(株)東芝研究開発センター
-
福澤 英明
株式会社東芝 研究開発センター
-
湯浅 裕美
株式会社東芝 研究開発センター
-
鴻井 克彦
株式会社東芝 研究開発センター
-
田中 陽一郎
株式会社東芝 コアテクノロジーセンター
-
福澤 英明
東芝研究開発センター
-
岩崎 仁志
東芝研究開発センター
-
湯浅 裕美
東芝研究開発センター
-
田中 陽一郎
(株)東芝コアテクノロジーセンター
-
田中 陽一郎
株式会社東芝
-
岩崎 仁志
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
高岸 雅幸
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
-
橋本 進
株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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