シミュレーションによるCPP-GMR素子のHDDへの適用検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-09-01
著者
-
高岸 雅幸
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
鴻井 克彦
(株)東芝研究開発センター
-
吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
-
佐藤 政司
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
吉川 将寿
東芝 研究開発センター
-
佐橋 政司
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
-
高岸 雅幸
東芝、研究開発センター
-
鴻井 克彦
東芝、研究開発センター
-
吉川 将寿
東芝、研究開発センター
-
船山 知己
東芝、研究開発センター
-
岩崎 仁志
東芝、研究開発センター
-
佐橋 政司
東芝、研究開発センター
-
佐橋 政司
東北大工
-
船山 知己
(株)東芝デジタルメディアネットワーク社
関連論文
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システムおよび一般)
- マイクロマグネティクスの磁気記録への応用III : 記録ヘッドへの適用(1)
- マイクロマグネティクスの磁気記録への応用II : 先進的な磁気記録媒体モデル
- マイクロマグネティクスの磁気記録への応用 I : 磁気記録・再生シミュレータの概要
- 垂直通電スピンバルブ型ナノコンタクト磁気抵抗効果膜
- スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システムおよび一般)
- スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システム及び一般)
- FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果(垂直磁気記録及び一般)
- FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果 (マルチメディアストレージ)
- CCP-NOLを用いたCPP-GMRスピンバルブ膜(「磁性薄膜作製技術」)
- 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果
- 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果(垂直記録及び一般)
- DWMR素子のR-H曲線へのセンス電流の影響とマイクロ波の発振
- Fe_Co_-NOLの磁気構造解析と90°結合
- スペキュラスピンバルブにおけるCoFe-NOLの交換結合磁界
- スピンフィルタフリーを用いたNOLスペキュラスピンバルブGMRヘッド
- スピンフィルター効果のフリー層構成による比較
- IrMn交換結合特性の膜厚依存性と結晶構造の関係
- PtMnスピンバルブ膜の規則化挙動と膜厚依存性
- IrMn/CoFeスピンバルブGMRのピン磁化耐熱性
- IrMn 反強磁性膜を用いた CoFe スピンバルブ
- ナノ構造磁性酸化物層を含むスピンバルブ薄膜の磁気結合
- Co_Fe_x-NOLのピンアシスト効果について(磁気記録)
- スピンバルブ型CPP-GMR薄膜の高性能化
- シミュレーションによるCPP-GMR素子のHDDへの適用検討
- CPP型スピンバルブ薄膜におけるGMR増大効果
- スピンバルブタイプCPPGMRにおける出力増大効果
- マイクロマグネティクスの磁気記録への応用IV : 記録ヘッドへの適用 (2)
- CPP-GMRの高記録密度用ヘッドへの適用検討
- CPP-GMRの高記録密度用ヘッドへの適用検討(シミュレーション及び一般)
- ナノ酸化物層(NOL)技術による垂直通電型巨大磁気抵抗効果(CPP-GMR)素子の作製
- スピンバルブ構造をもつ極薄CoFeフリー層の磁歪 : 磁気ヘッド
- 極薄CoFeフリー層の飽和磁歪
- スピンフィルタースピンバルブGMRヘッド
- CCP-NOLを有するCPP-GMR膜のMR変化率とナノ微細構造の関係(スピンエレクトロニクス)
- 電流狭窄型ナノオキサイドレイヤーを用いたCPPスピンバルブ膜 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- Current-Confined-Path(CCP) CPP-GMR スピンバルブ膜の微細構造観察
- スピンバルブ型CPP-GMRのMRエンハンスメント : メタルベーススピンバルブにおける磁性層の役割
- Ion-assisted oxidationによる極薄FeCo系酸化物を有するスペキュラースピンバルブ膜の高性能化
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システム及び一般)
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性
- マイクロマグネティックスの磁気記録への応用VII : マイクロ波アシスト磁気記録への応用
- NOLを用いたCPPGMRのMR性能とナノコンストリクション構造
- NOLを用いたCPPGMRのMR性能とナノコンストリクション構造(磁気記録研究会設立40周年記念大会)
- NOLを用いたCPPGMRのMR性能とナノコンストリクション構造
- MR performance and nanoconstriction structure of CPPGMR with NOL (電子情報通信学会磁気記録研究会設立40周年記念大会)
- スピンバルブ型CPP-GMRのMRエンハンスメント : メタルベーススピンバルブにおける磁性層の役割
- Ion-assisted oxidationによる極薄FeCo系酸化物を有するスペキュラースピンバルブ膜の高性能化
- ナノ狭窄磁壁型スピンバルブ薄膜のスピントルクマイクロ波発振
- Co_Fe_-AlO_xNOL中への強磁性メタルナノコンタクトの形成に関する研究(磁気記録)
- ナノ狭窄型磁気抵抗効果に関する最近の研究
- 19pZC-9 Fe-TaO_xNOL Spin Valve構造における強磁性ナノブリッジを介した層間交換結合(9pZC 領域3,領域4合同招待講演,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pZC-10 自己組織化パターニングによるCu-AlO_xナノオキサイドレイヤーの形成(9pZC 領域3,領域4合同招待講演,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Cu-AlO_x NOL (Nano-Oxide-Layer)形成過程の考察
- マイクロマグネティクスの磁気記録への応用V : 再生ヘッドへの適用
- スピンフィルタースピンバルブGMRヘッド
- CPP-GMRの高MR化技術
- デュアル構造をもつNOLスペキュラ・スピンバルブ
- NOLスペキュラ・スピンバルブのMR特性
- 高密度記録GMRヘッド対応の磁区制御技術
- 狭トラック幅GMRヘッド対応のハードバイアス膜
- 磁性人工格子膜--巨大磁気抵抗効果材料 (薄膜機能材料)
- 金属スピントロニクスの新たな展開とまだ見えぬ実装技術 (特集 材料とエマージングテクノロジーによる実装技術の新展開(2)エマージングテクノロジーによる実装技術の新展開)
- 高飽和磁化FeCo合金軟磁性薄膜の磁気特性
- マイクロマグネティクスの磁気記録への応用VI : 熱アシスト磁気記録への適用
- 巨大磁気抵抗効果材料のナノ革新 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 40nmのヘッド浮上量で4Gビット/(インチ)2の記録/再生を達成 (特集 外部記憶装置--小型ハ-ド・ディスク装置,80Gバイトに手がとどく)
- 高配向CoFe系膜の軟磁性
- 磁気記録技術(3) : MR再生原理とスピン伝導物理
- 金属スピントロニクスに思う
- CoFeスピンバルプを用いたGMR記録再生一体ヘッド
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- 記録密度5Tbpsiに向けた再生ヘッドデザイン (磁気記録・情報ストレージ)
- 記録密度5Tbpsiに向けた再生ヘッドデザイン (マルチメディアストレージ)
- 28aHF-11 磁性ナノコンタクトによって生じるリング状のMFM観察パターン(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-22 TaO_xナノオキサイドレイヤーを用いた磁性ナノコンタクトスピンバルブのMR効果(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-28 対称スピンバルブにおけるスピントルク臨界電流の磁場依存性(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 記録密度5Tbpsiに向けた再生ヘッドデザイン(媒体,一般)
- 高分解能・高SNを両立する再生ヘッドの将来技術
- Ru下地層の傾斜結晶面上に成膜されたc面配向Coスパッタ薄膜の原子積層構造および一軸結晶磁気異方性