Ion-assisted oxidationによる極薄FeCo系酸化物を有するスペキュラースピンバルブ膜の高性能化
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概要
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Fe_<50>Co_<50> nano-oxide layer(NOL)およびCo_<90>Fe_<10> NOLの二つの異なる材料をスペキュラー反射層としてピン層中に挿入したスピンバルブ膜を、自然酸化法と、Ion-assisted oxidation(IAO)法の二つの異なる手法でNOLを形成し、比較を行った。低酸素暴露領域でのIAOで酸化したFe_<50>Co_<50> NOLの場合に、良好なスペキュラリティーと、NOLを介した磁気結合の強い状態を同時に成立することに成功した。一方、自然酸化の場合には、Fe_<50>Co_<50>、Co_<90>Fe_<10>のどちらの材料とも、大きなスペキュラー反射効果が得られず、NOLを介した磁気結合も弱かった。Fe_<50>Co_<50> NOLを低酸素暴露量でIAO形成したスペキュラースピンバルブ膜が100Gbit/inch^2以上の高記録密度での有力な候補である。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2002-10-03
著者
-
岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
-
佐橋 政司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
福澤 英明
(株)東芝研究開発センター
-
福澤 英明
東芝研究開発センター
-
佐橋 政司
(株)東芝 研究開発センター
-
佐藤 政司
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
佐橋 政司
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
-
佐橋 政司
東北大工
-
佐橋 政司
(株)東芝
-
岩崎 仁志
(株)東芝
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