湯浅 裕美 | 東芝研究開発センター

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 東芝研究開発センターの論文著者

関連著者

• 湯浅 裕美

  東芝研究開発センター

• 福澤 英明

  東芝研究開発センター

• 岩崎 仁志

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 高岸 雅幸

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 湯浅 裕美

  (株)東芝研究開発センター

• 岩崎 仁志

  (株)東芝

• 鴻井 克彦

  (株)東芝研究開発センター

• 佐藤 政司

  (株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所

• 高岸 雅幸

  (株)東芝

• 福澤 英明

  (株)東芝研究開発センター

• 岩崎 仁志

  東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  (株)東芝 研究開発センター

• 佐橋 政司

  (株)東芝

• 佐橋 政司

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 佐橋 政司

  東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 佐橋 政司

  東北大工

• 鴻井 克彦

  (株)東芝 デジタルメディアネットワーク社

• 橋本 進

  (株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 吉川 将寿

  (株)東芝 研究開発センター

• 吉川 将寿

  東芝 研究開発センター

• 船山 知己

  (株)東芝,研究開発センター

• 船山 知己

  (株)東芝デジタルメディアネットワーク社

• 船山 知己

  (株)東芝 デジタルメディアネットワーク社

• 高岸 雅幸

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 岩崎 仁志

  株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ

• 福澤 英明

  株式会社東芝 研究開発センター

• 湯浅 裕美

  株式会社東芝 研究開発センター

• 鴻井 克彦

  株式会社東芝 研究開発センター

• 田中 陽一郎

  株式会社東芝 コアテクノロジーセンター

• 上口 裕三

  (株)東芝研究開発センター, 材料・デバイス研究所

• 甲野藤 真

  産総研

• 甲野 藤真

  産総研エレクトロニクス研究部門

• 上口 裕三

  株式会社東芝研究開発センター

• 佐橋 政司

  (株)東芝研究開発センター

• 田中 陽一郎

  (株)東芝コアテクノロジーセンター

• 田中 陽一郎

  株式会社東芝

• 岩崎 仁志

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 高岸 雅幸

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 橋本 進

  株式会社東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 伊藤 順一

  (株)東芝研究開発センター

• 甲野藤 真

  産総研エレクトロニクス研究部門

• 湯浅 裕美

  東芝 研究開発センター

• 福澤 英明

  東芝 研究開発センター

• 岩崎 仁志

  東芝 研究開発センター

• 鴻井 克彦

  東芝 研究開発センター

• 高岸 雅幸

  東芝 研究開発センター

• 佐橋 政司

  東芝 研究開発センター

• 坂久保 武男

  (株)東芝研究開発センター

• 橋本 進

  (株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ

• 藤 慶彦

  東芝研究開発センター

• 原 通子

  東芝研究開発センター

• 伊藤 順一

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

もっと見る 閉じる

著作論文

• 22pGL-2 スピンSEMを用いた磁性多層膜の90°層間結合状態に関する可視化解析(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-2 スピンSEMを用いた磁性多層膜の90°層間結合状態に関する可視化解析(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• CCP-NOLを用いたCPP-GMRスピンバルブ膜(「磁性薄膜作製技術」)
• 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果
• 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果(垂直記録及び一般)
• スピンバルブ型CPP-GMR薄膜の高性能化
• CPP型スピンバルブ薄膜におけるGMR増大効果
• スピンバルブタイプCPPGMRにおける出力増大効果
• CPP-GMRの高記録密度用ヘッドへの適用検討
• CPP-GMRの高記録密度用ヘッドへの適用検討(シミュレーション及び一般)
• CCP-NOLを有するCPP-GMR膜のMR変化率とナノ微細構造の関係(スピンエレクトロニクス)
• 電流狭窄型ナノオキサイドレイヤーを用いたCPPスピンバルブ膜 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
• スピンバルブ型CPP-GMRのMRエンハンスメント : メタルベーススピンバルブにおける磁性層の役割
• スピンバルブ型CPP-GMRのMRエンハンスメント : メタルベーススピンバルブにおける磁性層の役割
• デュアル構造をもつNOLスペキュラ・スピンバルブ
• NOLスペキュラ・スピンバルブのMR特性
• Znウスタイトスピンフィルタリング層による磁気抵抗効果の増大

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク