MRAM多層化におけるMTJ抵抗の重み付け係数の最適化
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概要
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磁気トンネル接合(MTJ)を2層に直列接続する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルの多層構造において, 抵抗値の重み付け係数kには最適値が存在し, MTJの電圧依存性, 磁気抵抗(MR)比に依存することをはじめて示した.これにより, 多層化における信号マージンを最適化できることを定量的に示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-01
著者
-
田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
與田 博明
(株)東芝
-
堀口 文男
東洋大学工学部コンピュテーショナル工学科
-
堀口 文男
(株)東芝セミコンダクター社
-
與田 博明
東芝 研開セ
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