高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する垂直磁化STT-MRAMメモリテクノロジ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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プロセッサは低消費電力で高性能化を要求されているが、ここで問題となっているSRAMキャッシュメモリによるリーク電力増大を解決するため、通常状態が常に電源オフである"ノーマリーオフコンピューティング"を目指して、MRAMキャッシュメモリの開発を進めている。プロセッサの低消費電力化を実現するためには、MRAMのメモリ素子であるMTJの書き込み速度の高速化と低電流化を同時に達成することが課題である。東芝は垂直磁化のMTJを用いることにより、ノーマリオフコンピューティングが実現可能な、高速、低電流で書き込み可能な垂直磁化MTJ技術を開発した。さらに、この新しいMTJを用いて、メモリセルにリークパスの無い(ノーマリオフ型メモリセル)、DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(D-MRAM)を新たに提案する。D-MRAMはアクセスの状況に応じて消費電力と動作性能のバランスが最適になるようDRAMモード/MRAMモードが選択される仕組みとなっている。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
-
與田 博明
(株)東芝
-
安部 恵子
株式会社東芝研究開発センター
-
野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
藤田 忍
(株)東芝
-
野口 紘希
株式会社東芝 研究開発センター
-
藤田 忍
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
藤田 忍
株式会社東芝 研究開発センター
-
下村 尚治
株式会社東芝 研究開発センター
-
北川 英二
株式会社東芝 研究開発センター
-
伊藤 順一
株式会社東芝 研究開発センター
-
安部 恵子
株式会社東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝半導体研究開発センター
-
野村 久美子
株式会社東芝研究開発センター
-
伊藤 順一
株式会社東芝研究開発センター
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