高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
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概要
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モバイル用CPUで問題となっているSRAMキャッシュメモリによるリーク電力増大を解決するため、メモリセルにリークパスの無い(ノーマリオフ型メモリセル)、DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(D-MRAM)を新たに提案する。D-MRAMはアクセスの状況に応じて消費電力と動作性能のバランスが最適になるようDRAMモード/MRAMモードが選択される仕組みとなっている。
- 2013-01-23
著者
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安部 恵子
株式会社東芝研究開発センター
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安部 恵子
(株)東芝
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野口 紘希
株式会社東芝 研究開発センター
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藤田 忍
株式会社東芝 研究開発センター
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下村 尚治
株式会社東芝 研究開発センター
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北川 英二
株式会社東芝 研究開発センター
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伊藤 順一
株式会社東芝 研究開発センター
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安部 恵子
株式会社東芝 研究開発センター
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