適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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概要

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• 高速・低消費電力型の垂直磁化方式STT-MRAMを用いた、容量と速度がアプリケーションに応じて、可変となる新しい混載メモリ回路技術について紹介する。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2014-01-22

著者

• 安部 恵子

  株式会社東芝研究開発センター

• 藤田 忍

  株式会社東芝研究開発センター

• 野口 紘希

  株式会社東芝 研究開発センター

• 藤田 忍

  株式会社東芝 研究開発センター

• 下村 尚治

  株式会社東芝 研究開発センター

• 北川 英二

  株式会社東芝 研究開発センター

• 伊藤 順一

  株式会社東芝 研究開発センター

• 安部 恵子

  株式会社東芝 研究開発センター

• 野村 久美子

  株式会社東芝研究開発センター

• 北川 英二

  株式会社東芝研究開発センター

• 伊藤 順一

  株式会社東芝研究開発センター

• 武田 進

  株式会社東芝研究開発センター

• 池上 一隆

  株式会社東芝研究開発センター

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