混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
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概要
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- 2003-12-12
著者
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
與田 博明
(株)東芝
-
土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
-
杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
-
田原 修一
NECシリコンシステム研究所
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
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