ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (<特集>超伝導エレクトロニクス/一般)
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概要
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ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作の実証を目的として, 256ワード16ビットRAMを設計した. 本回路は, アレイ状に配置された16個の256RAMブロックと, アレイ間を接続するインピーダンス整合ラインと, 入力信号増幅回路から構成される. 256RAMブロックごとにレギュレータとトランスから成る電源回路を設けた. このようにトランスを回路に隣接して設けることで, 変換効率を向上させると同時に電源ノイズを低減させることが出来た. 256RAMブロックのフェイルビットマップを測定し, ビットイールド100%の完全動作を確認した. 世界で始めてRAM全体に高周波クロックを供給して, 512MHzのクロックで256RAMブロックが正常に動作することを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-30
著者
-
橋本 義仁
超電導工学研究所
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
永沢 秀一
Nec基礎研究所
-
沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
沼田 秀昭
NEC基礎研究所
-
橋本 義仁
NEC基礎研究所
-
橋本 義仁
財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
永沢 秀一
超電導工学研
-
橋本 義仁
Nec基礎研
-
水沢 秀一
NEC 基礎研究所
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