水沢 秀一 | NEC 基礎研究所
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概要
関連著者
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永沢 秀一
Nec基礎研究所
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永沢 秀一
超電導工学研
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水沢 秀一
NEC 基礎研究所
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
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橋本 義仁
超電導工学研究所
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田原 修一
NEC基礎研究所
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沼田 秀昭
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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橋本 義仁
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
Nec基礎研
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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橋本 義仁
日本電気(株)基礎研究所
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永沢 秀一
日本電気(株)基礎研究所
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仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
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仲川 博
電子技術総合研究所
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青柳 昌宏
電子技術総合研究所
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高田 進
埼玉大学大学院理工学研究科
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黒沢 格
電子技術総合研究所
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高田 進
電子技術総合研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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加藤 千夏
NEC 基礎研究所
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黒沢 格
日本女子大学理学部数物科学科
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仲川 博
独立行政法人産業総合研究所
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青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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水沢 秀一
NEC基礎研究所
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萬 伸一
NEC基礎研究所
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萬 伸一
日本電気(株)基礎研究所
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小池 雅志
日本電気(株)基礎研究所
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加藤 千夏
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
日本電気 (株) 基礎研究所
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田原 修一
日本電気 (株) 基礎研究所
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永沢 秀一
日本電気 (株) 基礎研究所
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青柳 昌宏
日本電気 (株) 電子技術総合研究所
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仲川 博
日本電気 (株) 電子技術総合研究所
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黒沢 格
日本電気 (株) 電子技術総合研究所
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高田 進
日本電気 (株) 電子技術総合研究所
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土田 早苗
NEC基礎研究所
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萬 伸一
Nec基礎・環境研究所
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萬 伸一
日本電気(株)基礎・環境研究所
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田原 修一
NEC 基礎研究所
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小池 雅志
NEC基礎研究所
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沼田 秀昭
NEC 基礎研究所
著作論文
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 高速ジョセフソン記憶回路技術
- 磁束トラップ防止技術と4KRAMへの適用
- ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
- ジョセフソンデジタルLSI技術
- ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 2000ゲートジョセフソン論理回路のためのトランスフォーマーによるGHzクロック供給実験 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- ジョセフソン256ワールド16ビットRAMの設計
- GHzクロックメモリテスター(JBIST)の測定評価
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- ジョセフソンドライバ回路のGHzクロック動作の評価
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- サーマルカレントに起因した磁束トラップの評価