サーマルカレントに起因した磁束トラップの評価
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概要
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磁束トラップの原因は、残留外部磁場と冷却時の素子の温度分布に起因したサーマルカレントにより発生する磁場であることが知られている。実際、4KRAM測定においても、外部磁場の大きさ、素子の冷却速度などにより磁束トラップの状況が変化することが観測された。外部磁場に起因した磁束トラップに対しては、素子の超伝導グランド面に最適な形状のモート(溝)を形成することが効果的であり、数ミリガウスという比較的大きな残留外部磁場においても4KRAMをほぼ完全に動作(Bit Yield 99.8%)させることができた。この際、サーマルカレントに起因した磁束トラップが生じないように、素子を非常にゆっくり冷却して測定した。今回は、このサーマルカレントに起因した磁束トラップに着目し定量的に評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
永沢 秀一
Nec基礎研究所
-
沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
田原 修一
NEC 基礎研究所
-
永沢 秀一
超電導工学研
-
沼田 秀昭
NEC 基礎研究所
-
水沢 秀一
NEC 基礎研究所
-
加藤 千夏
NEC 基礎研究所
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