混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
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概要
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本論文では,混載用途に適したMRAMの抵抗比読み出し方式を提案する.本方式では2つのMTJを直列接続した2T+2MTJ型のメモリセルを採用し,読み出し動作時においては,それら2つのMTJの抵抗比によって決まる電圧を信号として読み出す.定電圧印加-電圧読み出しであるため読み出し系回路を簡素化することができ,例えばダイナミック・フリップフロップのような単純な回路をセンスアンプとして使用できる.これにより各カラム毎にセンスアンプを配置することが可能となり,バースト読み出しモードの実装が容易となる,加えて本方式は2つのMTJの抵抗比を信号として読み出すため,従来の定電圧印加-電流読み出し方式に対してMTJ抵抗のばらつきに対する耐性が高いという特長を持つ.更に本方式はメモリセルアレイ構成の自由度が高いため,バースト長やランダムアクセス速度の要求に応じてメモリセルアレイの構成を決定することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
與田 博明
(株)東芝
-
土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
-
杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
-
田原 修一
NECシリコンシステム研究所
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
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