大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
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概要
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- 2005-03-04
著者
-
石綿 延行
Necデバプラ研
-
土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
-
與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
-
池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
-
石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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