石綿 延行 | Necデバプラ研

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概要

• 同名の論文著者
• Necデバプラ研の論文著者

関連著者

• 石綿 延行

  Necデバプラ研

• 深見 俊輔

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大嶋 則和

  Necデバプラ研

• 大嶋 則和

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 鈴木 哲広

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 小野 輝男

  京都大学化学研究所

• 小野 輝男

  京大化研

• 千葉 大地

  京大化研

• 小山 知弘

  京大化研

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 石綿 延行

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 仲谷 栄伸

  電通大情報

• 谷川 博信

  NECデバプラ研

• 本庄 弘明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 斉藤 信作

  日本電気(株)

• 大嶋 則和

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 斎藤 信作

  Nec

• 齋藤 信作

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 谷川 博信

  京大化研

• 齊藤 信作

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 石綿 延行

  Nec

• 上田 浩平

  京大化研

• 石 勉

  MIRAI-Selete

• 永原 聖万

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 小野 輝男

  慶大理工

• 山田 元

  京大化研

• 大橋 啓之

  日本電気(株)

• 石綿 延行

  NEC機能デバイス研究所

• 永原 聖万

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 三浦 貞彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大橋 啓之

  NEC

• 石 勉

  NEC機能デバイス研究所

• 大橋 啓介

  MIRAI-Selete

• 近藤 浩太

  京都大学化学研究所

• 野中 義弘

  NEC機能デバイス研究所

• 鳥羽 環

  NEC機能デバイス研究所

• 野中 義弘

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 杉林 直彦

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 葛西 伸哉

  物質・材料研究機構磁性材料センター

• 近藤 浩太

  京大化研

• 葛西 伸哉

  京大化研

• 根橋 竜介

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 崎村 昇

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 森 馨

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大嶋 則和

  Nec

• 大橋 啓之

  NEC機能デバイス研究所

• 田原 修一

  日本電気(株) システムデバイス研究所

• 田原 修一

  日本電気株式会社

• 斎藤 信作

  NEC機能デバイス研究所

• 斎藤 美紀子

  早稲田大学

• 齋藤 美紀子

  Nec・機能エレクトロニクス研究所

• 齋藤 美紀子

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 尾崎 康亮

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 田原 修一

  NEC基礎研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 與田 博明

  (株)東芝 研究開発センター

• 斎藤 美紀子

  NEC機能デバイス研究所

• 田原 修一

  NECシステムデバイス研究所

• 池川 純夫

  (株)東芝研究開発センター

• 本庄 弘明

  NEC機能デバイス研究所

• 浦井 治雄

  NEC

• 與田 博明

  (株)東芝

• 斉藤 信作

  Nec デバイスプラットフォーム研

• 鈴木 哲広

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 尾崎 康亮

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 五十嵐 忠二

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 土田 賢二

  株式会社東芝研究開発センター

• 與田 博明

  株式会社東芝研究開発センター

• 浅尾 吉昭

  株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター

• 池川 純夫

  株式会社東芝研究開発センター

• 田原 修一

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 山田 一彦

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 加藤 有光

  日本電気(株)

• 松寺 久雄

  NEC機能デバイス研究所

• 是成 貴弘

  NEC機能デバイス研

• 本庄 弘明

  日本電気 機能デバイス研究所

• 石綿 延行

  日本電気 機能デバイス研究所

• 松寺 久雄

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 坪井 眞三

  Nec機能デバイス研

• 山田 一彦

  Nec機能デバイス研

• 斎藤 美紀子

  Nec機能エレクトロニクス研究所

• 浅尾 吉昭

  (株)東芝研究開発センター

• 坪井 真三

  日本電気 機能デバイス研

• 土田 賢二

  (株)東芝半導体研究開発センター

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所

• 是成 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 杉林 直彦

  日本電気(株)

• 根橋 竜介

  日本電気(株)

• 崎村 昇

  日本電気(株)

• 本庄 弘明

  日本電気(株)

• 三浦 貞彦

  日本電気(株)

• 森 馨

  日本電気(株)

• 大嶋 則和

  日本電気(株)

• 鈴木 哲広

  日本電気(株)

• 永原 聖万

  日本電気(株)

• 石綿 延行

  日本電気(株)

• 末光 克巳

  日本電気(株)

• 深見 俊輔

  日本電気(株)

• 浅尾 吉昭

  (株)東芝 研究開発センター

• 田上 勝通

  日本電気(株)機能デバイス研究所

• 坪井 眞三

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 山田 一彦

  NEC機能デバイス研究所

• 鈴木 哲広

  NEC機能デバイス研

• 中田 正文

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• 波田 博光

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 甲斐 正

  株式会社東芝研究開発センター

• 石 勉

  日本電気 機能デバイス研究所

• 永原 聖万

  日本電気 機能デバイス研究所

• 大橋 啓之

  日本電気 機能デバイス研究所

• 齋藤 信作

  NECファイル装置事業部

• 浦井 治雄

  NECファイル装置事業部

• 坪井 眞三

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 是成 貴弘

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 石綿 延行

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 田上 勝通

  NEC 機能エレクトロニクス研究所

• 齋藤 信作

  NEC ファイル装置事業部

• 浦井 治雄

  NEC ファイル装置事業部

• 甲斐 正

  (株)東芝研究開発センター

• 藤方 潤一

  日本電気(株)

• 田中 正文

  NEC機能デバイス研究所

• 石 勉

  NEC基礎・環境研究所

• 土田 賢三

  (株)東芝半導体研究開発センター

• 鈴木 哲広

  Nec機能エレクトロニクス研究所

• 中田 正文

  Mirai-selete

• 笠井 直記

  Nec 先端デバイス開発本部

• 小林 研介

  京大化研

• 大河内 拓雄

  原子力機構放射光

• 山田 啓介

  京都大学化学研究所

• 大河内 拓雄

  JASRI

• Jamet J.

  パリ南大

• Ferre J.

  パリ南大

• Thiaville A.

  パリ南大

• 千葉 大地

  京都大学化学研究所

• 小林 研介

  京都大学化学研究所

• 木下 豊彦

  高輝度セ

• 斉藤 好昭

  (株)東芝 研究開発センター

• 斉藤 好昭

  東芝

• 田原 修一

  日本電気(株)基礎研究所

• 大橋 啓之

  日本電気株式会社 基礎・環境研究所

• 斎藤 美紀子

  NEC

• 山田 一彦

  NEC

• 木下 豊彦

  NEDO

• 斉藤 好昭

  株式会社東芝研究開発センター

• 上田 知正

  株式会社東芝研究開発センター

• 菊田 邦子

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 岸 達也

  株式会社東芝研究開発センター

• 小嗣 真人

  Jasri

• Thiaville Andre

  パリ南大

• 木下 豊彦

  Jasri

• 笠井 直記

  Nec システムデバイス研

• 伊藤 雄一

  NECエレクトロニクス(株)

• 小林 洋介

  NECエレクトロニクス(株)

• 木下 啓藏

  日本電気(株)

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社

• 志村 健一

  日本電気株式会社

• 本田 雄士

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 志村 健一

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 辻 清孝

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 福本 能之

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 沼田 秀昭

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 向井 智徳

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 田上 勝通

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 大嶋 則和

  NECシリコンシステム研究所

• 杉林 直彦

  日本電気・デバイスプラットフォーム研究所

• 石綿 延行

  NECシステムデバイス研究所

• 中田 正文

  日本電気 機能デバイス研究所

• 藤方 潤一

  日本電気 機能デバイス研究所

• 石原 邦彦

  日本電気 機能デバイス研究所

• 森 茂

  日本電気 機能デバイス研究所

• 深見 栄三

  日本電気 機能デバイス研究所

• 鈴木 富士夫

  NEC

• 鳥羽 環

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 斉藤 信作

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 石 勉

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 斎藤 美紀子

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 野中 義弘

  日本電気 (株) 機能デバイス研究所

• 鳥羽 環

  日本電気 (株) 機能デバイス研究所

• 斎藤 信作

  日本電気 (株) 機能デバイス研究所

• 中田 正文

  NEC

• 嶋林 清孝

  NEC

• 本田 雄士

  Nec基礎研究所

• 浦井 治雄

  広島国際大学

• 福本 能之

  Necシステムデバイス研究所

• 中田 正文

  Nec機能エレ研

• 石原 邦彦

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 岸 達也

  (株)東芝研究開発センター

• 池川 純夫

  (株)東芝 基礎研究所

• 奥村 俊之

  NEC機能エレクトロニクス研究所

• 小嗣 真人

  広島大学放射光科学研究センター

• 菊田 邦子

  日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所

• 大橋 啓之

  日本電気株式会社

• 斉藤 好昭

  東芝 研開セ

• Honda T

  Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn

• 奥村 俊之

  Nec

• 加藤 有光

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

• 三浦 貞彦

  日本電気 グリーンイノベーション研究所

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著作論文

• 20pGJ-4 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動II(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pGJ-2 外部磁場によるCo/Ni細線中の磁壁伝搬観測(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pGJ-3 Co/Ni多層膜細線における磁壁電流駆動の積層膜厚および膜厚比率依存性(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-28 細線形状制御による磁壁駆動電流密度の低減(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM
• [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• 27aRA-5 外部磁場下におけるCo/Ni細線中の磁壁電流駆動(磁化ダイナミクス,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 25pPSA-29 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 25pPSA-27 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線の磁気異方性定数の決定(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 28aPS-112 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線への単一磁壁導入(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aPS-108 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線中の磁壁電流駆動現象 : しきい電流密度の低減(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pTF-2 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線中の磁壁電流駆動 : 磁壁移動速度の測定(27pTF 細線・トルク,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pQG-8 垂直磁気異方性を有する強磁性細線中の磁壁電流駆動(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aWL-10 垂直磁気異方性を有するCoCrPt細線中の磁壁電流駆動(24aWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-20 垂直磁気異方性を有する強磁性細線中の磁壁電流駆動における細線幅依存性(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
• 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
• 電析CoNiFe膜の結晶構造, 膜密度と飽和磁化
• 電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用 (特集 MRAM最前線)
• 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
• 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
• MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
• 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録
• SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
• SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発
• 技術開発 高速・大容量磁気ヘッド技術 (ストレージソリューション技術特集)
• 高飽和磁化磁極を用いた記録ヘッド : 高速記録用小型コアCo-Ni-Fe記録ヘッド
• MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
• 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
• 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
• 高Be記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
• 高安定スピンバルブ/高Bsインダクティブ複合ヘッド 製造工程における異方性制御について
• MR素子の応力解析とSAL膜に対する応力誘導異方性の影響
• オフトラックノイズ特性に及ぼす記録ヘッドの影響
• Co系薄膜媒体のオフトラックノイズ特性
• 電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用
• MR素子の応力解析とSAL膜に対する応力誘導異方性の影響
• 25aPS-43 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aWP-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 25aPS-34 磁壁オシレーターの開発(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• オフトラックノイズ特性に及ぼす記録ヘッドの影響
• 1)HD-ディジタルVTR用FeTaN積層膜ヘッド : FeTaN積層膜ヘッドの電磁変換特性(画像情報記録研究会)
• スピン移行トルク磁壁移動を用いた高速磁気ランダムアクセスメモリ
• 28aHF-9 SPELEEMを用いたCo/Ni細線中の電流誘起磁壁移動観察(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-35 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性II(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aHF-8 磁壁回転素子の開発2(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-24 電流印加下におけるデピニング磁場測定(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRA-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響II(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRA-4 垂直磁化Co/Ni細線の磁壁電流駆動の温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21aPS-31 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試み(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

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