藤方 潤一 | 日本電気(株)
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概要
関連著者
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藤方 潤一
日本電気(株)
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓介
MIRAI-Selete
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大橋 啓之
NEC
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石 勉
MIRAI-Selete
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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林 一彦
NEC機能エレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
NEC機能エレクトロニクス研究所
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中田 正文
Nec機能エレ研
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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中田 正文
Mirai-selete
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山本 英文
Nec機能エレクトロニクス研究所
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山田 一彦
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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西 研一
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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石 勉
日本電気(株)基礎・環境研究所
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山田 一彦
Nec機能デバイス研
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柳沢 雅広
日本電気
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山本 英文
NEC機能エレ研
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柳沢 雅広
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
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石原 邦彦
日本電気(株)基礎・環境研究所
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横田 均
日本電気(株)基礎・環境研究所
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牛田 淳
NECナノエレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
NEC基礎・環境研究所
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石 勉
NEC基礎・環境研究所
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大橋 啓之
NEC基礎・環境研究所
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石綿 延行
Necデバプラ研
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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大橋 啓之
Mirai-selete:日本電気株式会社
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山田 一彦
NEC機能デバイス研究所
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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加藤 邦男
早大
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山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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板橋 聖一
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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加藤 邦男
日本電気(株)
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西 英隆
Nttマイクロシステム研
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土澤 泰
Nttマイクロシステム研
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山田 一彦
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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牛田 淳
Mirai‐selete
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藤方 潤一
MIRAI-Selete
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西 研一
NEC基礎・環境研究所
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大橋 啓之
Mirai-selete
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山田 浩治
Nttマイクロシステム研
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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中村 隆宏
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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山田 浩治
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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板橋 聖一
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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牛田 淳
Mirai-selete
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中村 隆宏
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山田 浩治
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:NTT Microsystem Integration Laboratories
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中村 隆宏
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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山田 浩治
NTT
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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上條 敦
NEC基礎研究所
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大橋 啓之
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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斎藤 美紀子
NEC機能デバイス研究所
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赤川 武志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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中田 正文
日本電気 機能デバイス研究所
-
藤方 潤一
日本電気 機能デバイス研究所
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石原 邦彦
日本電気 機能デバイス研究所
-
石 勉
日本電気 機能デバイス研究所
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森 茂
日本電気 機能デバイス研究所
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永原 聖万
日本電気 機能デバイス研究所
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本庄 弘明
日本電気 機能デバイス研究所
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深見 栄三
日本電気 機能デバイス研究所
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石綿 延行
日本電気 機能デバイス研究所
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大橋 啓之
日本電気 機能デバイス研究所
-
石 勉
日本電気株式会社機能デバイス研究所
-
石綿 延行
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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松寺 久雄
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
上條 敦
Nec 基礎研究所
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西 研一
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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石原 邦彦
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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中田 正文
日本電気(株)基礎・環境研究所
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柳沢 雅広
早稲田大学生命医療工学研究所
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藤方 潤一
NECナノエレクトロニクス研究所
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Yu Ming-Bin
IMEA A*STAR
-
Zhu ShiYang
IMEA A*STAR
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Ding Liang
IMEA A*STAR
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Guo-Qiang Patrick
IMEA A*STAR
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赤川 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
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Kwong Dim-Lee
IMEA A*STAR
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中村 隆宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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馬場 寿夫
日本電気(株)基礎・環境研究所
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中田 正文
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
林 一彦
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
山本 英文
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
斎藤 美紀子
Nec機能エレクトロニクス研究所
-
齋藤 美紀子
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
最上 徹
MIRAI-Selete
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賣野 豊
NECシステムプラットフォーム研究所
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藤方 潤一
日本電気株式会社 基礎研究所
-
柳沢 雅広
早稲田大学 生命医療工学研究所
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大橋 啓之
日本電気株式会社
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賣野 豊
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
-
松寺 久雄
Nec機能デバイス研
-
賣野 豊
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
馬場 寿夫
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
-
西 英隆
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:NTTナノフォトニクスセンタ
-
土澤 泰
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
上條 敦
NEC基礎研
著作論文
- SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
- 技術開発 高速・大容量磁気ヘッド技術 (ストレージソリューション技術特集)
- スピンバルブ素子におけるΔR-Hクロスポイント要因
- 表面プラズモン共鳴による近接場光の増強
- スピンバルブの磁気抵抗変化に及ぼす界面平坦性の影響
- PtMnおよびNiO反強磁性膜を用いたスピンバルブ膜のMR特性
- 超クリーンスパッタによるスピンバルブ膜のMR特性
- NiO/α-Fe_2O_3反強磁性体を用いたピンバルブ膜
- C-3-68 MOS型Si光変調器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- NiO/CoO スピンバルブ膜の磁気特性
- NiO/CoO反強磁性二層膜を用いたスピンバルブ膜
- C-3-77 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 2(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-76 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 1(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンベース光検出器
- 表面プラズモンアンテナを利用したナノフォトダイオード
- 金属微細構造による光透過率増大と光記録への応用
- Mn系反強磁性体を用いた交換結合膜の熱安定性
- NiO/CoO反強磁性二層膜を用いたスピンバルブ膜
- 表面プラズモン近接場光ヘッドの設計試作(トライボロジ, 一般)
- 表面プラズモン近接場光ヘッドの設計試作
- 表面プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード (進展するプラズモニック・デバイス)
- 光インターコネクションに向けたシリコンフォトニクスデバイス集積 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
- プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 表面プラズモンアンテナを用いたシリコンナノフォトダイオード (特集 材料からのブレークスルー)
- プラズモン共鳴を用いた近接場光増強Siナノフォトダイオード
- 表面プラズモンのストレージ技術への適用
- 表面プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード