西 研一 | (株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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概要
関連著者
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西 研一
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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大橋 啓介
MIRAI-Selete
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石 勉
MIRAI-Selete
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藤方 潤一
日本電気(株)
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大橋 啓之
Mirai-selete:日本電気株式会社
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西 研一
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大橋 啓之
Mirai-selete
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大橋 啓之
Mirai-selete:necナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 信夫
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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藤方 潤一
NEC基礎・環境研究所
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石 勉
NEC基礎・環境研究所
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西 研一
NEC基礎・環境研究所
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大橋 啓之
NEC基礎・環境研究所
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(独)産業技術総合研究所
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所グループ
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産業技術総合研究所機械システム研究部門グループ
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日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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清水 隆徳
MIRAI-Selete
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MIRAI-Selet
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NEC機能デバイス研究所
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馬場 寿夫
日本電気(株)基礎・環境研究所
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大橋 啓之
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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湯川 弘章
MIRAI-Selete
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古江 勝也
MIRAI-Selete
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鈴木 信夫
MIRAI-Selete
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明渡 純
産業技術総合研
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中田 正文
Mirai-selete
-
馬場 寿夫
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
著作論文
- LSIオンチップ光配線技術(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 次世代ネットワークやLSIを革新するSiナノフォトニクス (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- C-3-58 エアロゾルデポジション法を用いた光配線用PLZT変調器のデバイス設計と導波路特性(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 6. LSIオンチップ光配線技術(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- A-3-16 次世代LSI内グローバル配線への光配線の適用性検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- 表面プラズモンアンテナを利用したナノフォトダイオード
- プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 表面プラズモンアンテナを用いたシリコンナノフォトダイオード (特集 材料からのブレークスルー)
- プラズモン共鳴を用いた近接場光増強Siナノフォトダイオード