本田 雄士 | 日本電気(株)システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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本田 雄士
日本電気(株)システムデバイス研究所
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本田 雄士
Nec基礎研究所
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Honda T
Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
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Honda T
System Devices Research Laboratories Nec Corporation
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崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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田原 修一
NEC基礎研究所
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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Tahara S
System Devices Research Laboratories Nec Corporation
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Sakimura Noboru
System Devices Research Laboratories Nec Corporation
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Sakimura Noboru
Device Platforms Laboratories Nec Corporation
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Sugibayashi T
Device Platforms Laboratories Nec Corporation
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Sugibayashi Tadahiko
Nec Corporation Device Platforms Research Laboratories
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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藤田 淳一
NEC基礎研
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杉林 直彦
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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斉藤 信作
日本電気(株)
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永原 聖万
日本電気(株)
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志村 健一
日本電気株式会社
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志村 健一
日本電気(株)システムデバイス研究所
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
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斎藤 信作
Nec
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
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藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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藤田 淳一
Nec基礎研究所
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藤田 淳一
Nec基研
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CHAYA Shigeo
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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SUMI Tadashi
the System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
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SUGIBAYASHI Tadahiko
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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HONDA Takeshi
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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SAKIMURA Noboru
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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KASAI Naoki
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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Sumi T
The Authors Are With Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Chaya Shigeo
The Authors Are With Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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Hada H
System Devices Research Laboratories Nec Corporation
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Hada Hiromitsu
Nec Corporation Device Platforms Research Laboratories
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Hada Hiromitsu
Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation
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Kasai Naoki
Device Platforms Laboratories Nec Corporation
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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Hirano Hiroshige
The Authors Are With Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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笠井 直記
東北大学
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石綿 延行
Necデバプラ研
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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森 馨
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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根橋 竜介
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気(株)
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三浦 貞彦
日本電気(株)
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加藤 有光
日本電気(株)
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森 馨
日本電気(株)
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大嶋 則和
日本電気(株)
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鈴木 哲広
日本電気(株)
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石綿 延行
日本電気(株)
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末光 克巳
日本電気(株)
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深見 俊輔
日本電気(株)
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辻 清孝
日本電気(株)システムデバイス研究所
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福本 能之
日本電気(株)システムデバイス研究所
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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藤田 純一
Nec基礎研究所
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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與田 博明
(株)東芝
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杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
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田原 修一
NECシリコンシステム研究所
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気(株)
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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Shimada Y
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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崎村 昇
NECシリコンシステム研究所
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本田 雄士
NECシリコンシステム研究所
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三浦 貞彦
NECシリコンシステム研究所
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沼田 秀昭
NECシリコンシステム研究所
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Shimada Yuji
Microsystem Research Center Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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OTSUKI Tatsuo
Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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ARITA Koji
ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation
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Otsuki T
Panasonic Technol. Inc. Co Usa
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Azuma M
Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Matsuda Akihiro
Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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ASARI Koji
The authors are with Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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HIRANO Hiroshige
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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HONDA Toshiyuki
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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SUMI Tatsumi
The authors are with Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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TAKEO Masato
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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MORIWAKI Nobuyuki
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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NAKANE George
The authors are with Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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NAKAKUMA Tetsuji
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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MUKUNOKI Toshio
The author is with Corporate Semiconductor Development Division, Matsushita Electric Industrial CO.,
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JUDAI Yuji
The authors are with ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
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AZUMA Masamichi
The authors are with Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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SHIMADA Yasuhiro
The authors are with Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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OTSUKI Tatsuo
The authors are with Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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SUMI Tatsumi
Kyoto Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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嶋田 豊
富山医科薬科大学医学部和漢診療学
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Otsuki Tatsuo
Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Fukumoto Takahiro
Kyoto Researcgh Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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TAHARA Shuichi
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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HADA Hiromitsu
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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TAHARA Shu-ichi
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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HONDA Takeshi
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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SAKIMURA Noboru
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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SUGIBAYASHI Tadahiko
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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NUMATA Hideaki
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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MIURA Sadahiko
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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HADA Hiromitsu
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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TAHARA Shuichi
The authors are with Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
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HIRANO Hiroshige
Kyoto Researcgh Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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HONDA Toshiyuki
Kyoto Researcgh Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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CHAYA Shigeo
Kyoto Researcgh Laboratory, Matsushita Electronics Corporation
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Hayashi Satoru
The Institute Of Fluid Science Tohoku University
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Asari Koji
The Authors Are With Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Judai Yuji
Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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Takeo Masato
The Authors Are With Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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Sumi Tatsumi
Kyoto Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Nakane George
The Authors Are With Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Hada Hiromitsu
System Devices And Fundamental Research Nec Corporation
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Numata Hideaki
The Authors Are With Silicon System Research Laboratories Nec Corporation
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Numata Hideaki
The Authors Are With Fundamental Research Laboratories System Devices And Fundamental Research Nec C
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Miura Sadahiko
The Authors Are With Silicon System Research Laboratories Nec Corporation
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Tahara Shuichi
The Authors Are With Fundamental Research Laboratories System Devices And Fundamental Research Nec C
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Tahara Shuichi
System Devices Research Laboratories Nec Corporation
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Honda Toshiyuki
Mitsubishi Heavy Industries Ltd.
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Tanba Masataka
Graduate School of Tohoku University
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Mukunoki Toshio
The Author Is With Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Industrial Co. L
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Arita K
Ulsi Device Development Laboratory Nec Corporation
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Azuma Masamichi
The Authors Are With Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation
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Judai Yuji
The Authors Are With Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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與田 博明
東芝 研開セ
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Nakakuma Tetsuji
The Authors Are With Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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Moriwaki Nobuyuki
The Authors Are With Ulsi Process Technology Development Center Matsushita Electronics Corporation
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
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