本庄 弘明 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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崎村 昇
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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根橋 竜介
日本電気株式会社
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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東北大学
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日本電気株式会社
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東北大学
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日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学
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池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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徳留 圭一
日本電気株式会社
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石綿 延行
Necデバプラ研
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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福岡県産業科学技術振興財団
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日本電気(株)
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大橋 啓之
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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大橋 啓之
NEC
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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笠井 直記
Nec システムデバイス研
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日本電気(株)
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志村 健一
日本電気株式会社
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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野中 義弘
NEC機能デバイス研究所
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鳥羽 環
NEC機能デバイス研究所
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野中 義弘
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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鳥羽 環
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斉藤 信作
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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石 勉
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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石 勉
MIRAI-Selete
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齋藤 美紀子
日本電気(株)基礎・環境研究所
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大橋 啓介
MIRAI-Selete
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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大橋 啓之
日本電気株式会社
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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木下 啓蔵
東北大学
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加藤 有光
日本電気株式会社
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
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松永 翔雲
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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小池 洋紀
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大澤 隆
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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鈴木 哲広
ルネサスエレクトロニクス
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深見 俊輔
NECA:東北大
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木下 啓藏
東北大学
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森岡 あゆ香
日本電気株式会社
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遠藤 哲郎
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
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木下 啓蔵
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
著作論文
- 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)