4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Memory(TCAM)では,記憶情報の大容量化と検索処理の低スタンバイ電力化が強く要求される.本稿では,4個のMOSトランジスタと2個のMagnetic Tunnel Junction(MTJ)素子を用いることで,記憶機能が不揮発化され,かつ所望の演算機能も実現できる新しい不揮発TCAMセル構造(4T-2MTJ構造)を提案する.90nm CMOSプロセスと100nm MTJプロセスにおいて3.14um^2という最小面積の不揮発TCAMセルを実現し,不揮発TCAMテストチップによりその動作を実証した.また,本提案手法による大容量化と低スタンバイ電力化の優位性を明らかにする.
- 2013-04-04
著者
-
本庄 弘明
日本電気株式会社
-
大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
三浦 貞彦
日本電気株式会社
-
羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
-
松永 翔雲
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
木下 啓蔵
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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