32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセルによる1Mbの高速な混載用メモリを設計・試作した。スタンドバイ電流をなくし、動作電流を極力下げ、かつ高速なアクセス時間とサイクル時間を達成するために32bからなる細粒度パワーゲーティングを適用した。このセルは4個のNFETでその大きささが決まるために、従来のSRAMよりもセルサイズが小さくなるポテンシャルを持ち、実際スケーリングに基づきSTTMTJのスイッチング電流が小さくなることによって、NFETのチャンネル幅をスケーリングできるために25nm-45nm世代以降においてSRAMよりも小さいマクロを実現できる可能性を示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
-
小池 洋紀
福岡県産業科学技術振興財団
-
徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
本庄 弘明
日本電気株式会社
-
大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
三浦 貞彦
日本電気株式会社
-
羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
-
小池 洋紀
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
大澤 隆
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
-
池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社
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