三浦 貞彦 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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崎村 昇
日本電気株式会社
著作論文
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)