半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 大野 裕三

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大 電通研

関連論文

• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 超高密度磁気メモリ (特集2 ユビキタス社会を拓く次世代電子デバイス)
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
• 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
• 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
• 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
• (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
• 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
• 総説:スピンエレクトロニクス (特集 スピンエレクトロニクス)
• 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
• 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
• 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
• 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
• 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
• 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
• 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
• 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
• 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
• 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
• 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピントロニクスの材料戦略
• 第17回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 ; 田中雅明氏
• スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
• 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
• 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
• 磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
• 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
• 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
• GaAs/InAs（001）超格子半導体のバンド構造
• 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
• 酸化亜鉛電界効果デバイス
• 強磁性半導体ヘテロ構造 (特集:表面・界面科学研究)
• 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
• 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
• 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
• 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(I)
• 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
• 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
• 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
• 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
• 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
• 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
• III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
• 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
• 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
• 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
• スピントロニクス・マグネティクス
• 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
• 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
• 27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
• 27pYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
• 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
• クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
• 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
• 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
• 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
• 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
• 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
• 長波長量子カスケード構造サブバンド間発光素子--電流注入型テラヘルツ帯光源を目指して (特集:テラヘルツ光)
• 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
• 30p-ZF-7 2層2次元電子間のスピン依存トンネリング
• (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
• 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
• 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
• 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
• 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
• 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
• 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
• 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
• 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
• III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
• 3-5族ベ-ス希薄磁性半導体のGMR (固体物理特集号)
• 陽極酸化法による水素化非晶質シリコン中の材料欠陥の選択的不活性化とp-i-n形太陽電池作製への応用
• 合同セッションE : スピントロニクス・ナノマグネティクス
• 合同セッションE : スピントロニクス・ナノマグネティクス
• III-V族希薄磁性半導体の電気伝導 : バルクと超構造
• タイプ2 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造量子井戸サブバンド間の電流注入発光
• 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
• 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
• 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
• 7pSB-1 Ga_Mn_xAsの赤外反射スペクトル(磁性半導体,領域4)
• 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)
• 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク