III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
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概要
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III-V族強磁性半導体(Ga, Mn)Asの結晶成長、磁気的性質、磁気輸送特性、磁気光学特性について紹介する。また(Ga, Mn)Asを用いたヘテロ構造についての最近の研究を報告し、その応用の可能性について検討する。
- 1998-06-16
著者
-
大野 裕三
東北大通研
-
大野 英男
東北大通研
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
大野 裕三
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
秋葉 教充
東北大学電気通信研究所
-
大宮 忠志
東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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