注入層のドーピング濃度がInAs量子カスケードレーザーの特性に及ぼす影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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InAs/AlSb量子カスケードレーザーの注入層におけるドーピング濃度がレーザーの特性に及ぼす影響について検討した。InAs量子カスケードレーザーには、短波長化に伴い動作電界が大きくなると高電界効果によってホールが生成され、ゲインが減少するという問題がある。そこで我々は動作電界を小さくするために注入層のドーピング濃度を上げる方法に注目した。エレクトロルミネッセンスの測定結果から、注入層のドーピング濃度を上げることで動作電界が減少し、ホールの生成が抑えられることがわかった。また注入層のドーピング濃度と閾値電流密度の温度依存性及び最高動作温度について検討した。
- 2006-02-23
著者
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大谷 啓太
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大西 秀和
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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森安 嘉貴
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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森安 嘉貴
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:旭化成株式会社
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