ナロウギャップ半導体 InAs をベースにした量子カスケードレーザー
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
-
双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
-
積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
(Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
-
双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
-
交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
-
注入層のドーピング濃度がInAs量子カスケードレーザーの特性に及ぼす影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
(Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
-
スピントロニクスの材料戦略
-
磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
-
半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
-
強磁性半導体における磁壁の電流駆動
-
スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
-
電子材料研究の環境
-
新磁性考
-
MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム(新型不揮発性メモリー)
-
27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
-
III-V族強磁性半導体ヘテロ構造と半導体スピンエレクトロニクス
-
「21世紀を拓く薄膜結晶成長」特集号を組むにあたって
-
スピン制御半導体の機能と可能性
-
量子カスケードレーザー用半導体材料
-
量子力スケードレーザーの現状と展望
-
CS-11-5 InAsをベースとした量子カスケードレーザー(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
-
InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
-
InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー
-
中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
ナロウギャップ半導体 InAs をベースにした量子カスケードレーザー
-
29pYH-1 ナロウギャップ半導体量子カスケード構造を用いた長波長発光素子
-
スピンエレクトロニクスとは何か (特集 スピンエレクトロニクス--ナノ領域がもたらす技術革新)
-
30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
-
磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
-
磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
-
27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
-
5-3 量子カスケードレーザの短波長化・長波長化の研究動向(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
-
強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
-
強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
-
III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
-
高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
-
スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
半導体と磁性体に橋を架ける
-
2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
-
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
-
シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク