スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM(MLC-SPRAM)について述ペる。2つの直列接続した磁気トンネル接合を用いてメモリセルを構成することで、その磁化反転による抵抗変化の組み合わせにより4レべルの抵抗値、すなわち2bit/cellを実現した。多値化のための必要条件は、2つのSPRAM素子が互いに平面面積のみ異なっていればよい。書き換え・読み出し動作としては、2段階のシーケンスを用いる方式を考案した。また、セルサイズ設計の一例を述べ、4F^2/bitが見込めることを示した。

• 2011-04-11

著者

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所基礎研究所

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所 中央研究所

関連論文

• 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (シリコン材料・デバイス)
• 新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)
• 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
• ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
• 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
• 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
• 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• C-12-42 基板電圧制御によるインバータ特性の検討(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
• 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• サブ1V DRAM設計技術(新メモリ技術とシステムLSI)
• 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
• 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
• 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
• 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
• ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
• 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
• 2Mビットのスピン注入方式不揮発性RAMを試作
• One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• ばらつきが小さく, CMOS-LSIの超低消費電力化が可能な薄膜BOX-SOI(SOTB)
• インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
• 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
• 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
• 注入層のドーピング濃度がInAs量子カスケードレーザーの特性に及ぼす影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• CT-1-2 相変化メモリ、磁性体メモリ最新動向(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
• スピントロニクスの材料戦略
• 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
• 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
• スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
• 電子材料研究の環境
• 新磁性考
• MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム(新型不揮発性メモリー)
• 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
• III-V族強磁性半導体ヘテロ構造と半導体スピンエレクトロニクス
• 「21世紀を拓く薄膜結晶成長」特集号を組むにあたって
• スピン制御半導体の機能と可能性
• 量子カスケードレーザー用半導体材料
• 量子力スケードレーザーの現状と展望
• CS-11-5 InAsをベースとした量子カスケードレーザー(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
• InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• ナロウギャップ半導体 InAs をベースにした量子カスケードレーザー
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(グリーン・コンピューティング,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路
• ビット線クランプ方式によるフラッシュメモリ高速読出し動作の検討
• フラッシュメモリにおける高効率高電圧並びに高精度基準電圧発生回路
• フラッシュメモリにおけるウェルデコード消去方式の検討
• フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術
• 低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
• 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
• 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
• 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
• 高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術
• 高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術
• 超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
• 超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
• 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
• III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
• 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ (集積回路)
• 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
• チップマルチプロセッサ向け自律分散型低電力システム : クロック周波数,電源電圧,基板バイアスの最適制御技術(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• 招待講演 スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 (集積回路)
• 半導体メモリ
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
• 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (集積回路)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
• スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
• フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
• シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク