竹村 理一郎 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
-
半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
-
関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
-
梶谷 一彦
エルピーダメモリ(株)開発センター
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梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所
-
山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
-
松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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柳川 善光
(株)日立製作所中央研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
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小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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梶谷 一彦
エルピーダ
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
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高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
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守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所
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長谷川 晴弘
(株)日立製作所基礎研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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長田 健一
株式会社日立製作所
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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秋山 悟
株式会社日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所研究開発本部
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長谷川 晴弘
日立製作所基礎研究所
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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河原 尊之
日立製作所・中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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小田部 晃
株式会社日立製作所中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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寺尾 元康
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 正道
(株)ルネサステクノロジ
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半澤 悟
株式会社日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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関口 知紀
株式会社 日立製作所 中央研究所
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秋山 悟
株式会社 日立製作所 中央研究所
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半澤 悟
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
竹村 理一郎
株式会社 日立製作所 中央研究所
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河原 尊之
株式会社 日立製作所 中央研究所
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
藤崎 芳久
(株)日立製作所
-
松倉 文
東北大学 電気通信研究所
-
松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
-
小埜 和夫
日立製作所中央研究所
-
竹村 理一郎
日立製作所中央研究所
-
山ノ内 路彦
日立製作所基礎研究所
-
寺尾 元康
(株)日立製作所 ストレージテクノロジー研究センター
-
山本 浩之
(株)日立製作所 基礎研究所
-
長谷川 晴弘
(株)日立製作所 基礎研究所
-
三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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堀口 真志
ルネサスエレクトロニクス(株)
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半澤 悟
株式会社日立製作所
著作論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
- 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- CT-1-2 相変化メモリ、磁性体メモリ最新動向(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- 招待講演 スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 (集積回路)
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (集積回路)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)