外村 修 | (株)日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
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松岡 正道
(株)ルネサステクノロジ
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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森川 貴博
(株)日立製作所 中央研究所
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木下 勝治
(株)日立製作所 中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
株式会社日立製作所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
著作論文
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)