松井 裕一 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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松井 裕一
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エルピーダメモリ株式会社
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東北大学大学院工学研究科
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生田目 俊英
(株)日立製作所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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島津 ひろみ
日立 機械研
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中村 吉孝
エルピーダメモリ(株)
著作論文
- Ru(C_5H_4C_2H_5)_2/THF原料を用いたCVD法によるRu電極の形成
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- MIMキャパシタ用電極の形成技術
- Nb_2O_5添加及び積層による高誘電率Ta_2O_5膜の低温結晶化(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Pt膜におけるヒロック発生メカニズムの解明
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術