松崎 望 | (株)日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
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松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
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松崎 望
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(株)日立製作所基礎研究所
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(株)日立製作所基礎研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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日立製作所中央研究所
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日立製作所中央研究所
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高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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(株)ルネサステクノロジ
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(株)ルネサステクノロジ
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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石橋 孝一郎
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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石橋 孝一郎
ルネサス テクノロジ
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森川 貴博
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木下 勝治
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長田 健一
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長野 隆洋
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矢幡 秀治
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水野 弘之
日立製作所 中央研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 微細ポリシリコンパターン上に形成されたチタンシリサイド膜の解析