高橋 宏昌 | (株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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概要
関連著者
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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小室 又洋
(株)日立製作所・ストレージシステム事業部
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早川 純
日立 中研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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早川 純
日立 基礎研
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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高橋 宏昌
日立中研
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伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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杉田 愃
東北大学電気通信研究所
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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添谷 進
日立製作所中央研究所
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三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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小室 又洋
日立・日立研
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高橋 宏昌
日立・日立研
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光岡 勝也
日立・日立研
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杉田 愃
日立・中研
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
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浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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星野 勝美
日立製作所中央研究所
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五十嵐 万寿和
(株)日立製作所中央研究所
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五十嵐 万寿和
日立中研
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小室 又洋
日立中研
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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星野 勝美
日立中研
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星野 勝美
(株)日立製作所中央研究所
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浅野 秀文
名古屋大学
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松井 正顯
名大工
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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渡辺 克朗
(株)日立製作所中央研究所
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Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
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Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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来田 歩
(株)日立基礎研
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渡辺 克朗
(株)日立製作所 中央研究所
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山本 千早人
名古屋大学大学院工学研究科
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Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
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三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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松井 正顕
名古屋大学
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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杉田 愃
東北工業大学電子工学科
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杉田 愃
日立中研
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松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所
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長谷川 晴弘
(株)日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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来田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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山本 千早人
名古屋大学
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添谷 進
(株)日立製作所研究開発本部
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星屋 裕之
(株)日立製作所中央研究所
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來田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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中本 一広
日立製作所中央研究所
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星屋 裕之
日立製作所中央研究所
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市村 雅彦
日立基礎研
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佐久間 昭正
日立金属
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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井手 浩
日立製作所中央研究所
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星野 勝美
(株)日立製作所・中央研究所
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長谷川 晴弘
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立基礎研
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
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杉田 愃
東北大通研
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星屋 裕之
中央研究所
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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木村 久志
(株)日立製作所
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星屋 裕之
(株)日立製作所 中央研究所
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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星屋 裕之
日立・日立研
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
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小林 孝弘
東北工業大学
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大野 英男
東北大通研
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伊藤 修
(株)日立製作所電力システム社エネルギ・環境システム研究所
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神戸 高志
岡山大理
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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松井 正顕
名大工
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杉山 幹人
名古屋大学大学院工学研究科
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早川 純
日立中研
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伊藤 顕知
日立中研
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河原 尊之
日立製作所・中央研究所
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喜多 英治
筑波大物工:univ. Of Illinois
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高橋 宏昌
(株)日立製作所中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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喜多 英治
筑波大・物理工
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峯村 哲郎
株式会社日立製作所日立研究所
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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渡辺 克朗
日立・中研
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井手 浩
日立ストレージシステム事業部
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佐久間 昭正
日立金属(株)磁性材料研究所
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星野 勝美
日立
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小室 又洋
(株)日立製作所
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松井 正顯
名古屋大学大学院工学研究科
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来田 歩
名大工
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杉田 愃
東北工業大学
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高橋 宏昌
日立 基礎研
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三宅 潔
(株)日立製作所日立研究所
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大橋 健也
(株)日立製作所日立研究所
-
大橋 鉄也
(株)日立製作所日立研究所
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峯村 哲郎
(株)日立製作所日立研究所
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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井手 浩
(株)日立製作所中央研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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Akinaga Hiroyuki
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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井手 浩
日立
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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金子 明生
慶大理工物理
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宮島 英紀
慶大理工物理
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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木村 久志
日立製作所
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中本 一広
(株)日立製作所中央研究所
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杉田 愃
東北大電通研
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平谷 正彦
日立中研
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高橋 宏昌
日立、中研
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小室 又洋
日立、中研
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杉田 愃
日立、中研
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浅野 秀文
名大工
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小原 安弘
名古屋大学大学院工学研究科
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金子 明生
慶大理工
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木村 久志
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大橋 健也
日立 日立研
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大橋 健也
日立 材料研
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佐藤 博之
東北工業大学
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片田 祐之
東北大学電気通信研究所
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高橋 宏昌
日立ストレージテクノロジーリサーチセンタ
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添谷 進
日立ストレージテクノロジーリサーチセンタ
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渡辺 克朗
日立製作所
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添谷 進
日立中研
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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大橋 健也
(株)日立製作所 日立研究所
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中本 一広
日立
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中本 一広
(株)日立製作所・ストレージ・テクノロジー研究センタ
-
佐久間 昭正
日立金属 磁性材研
-
伊藤 修
(株)日立製作所日立研究所研究員
-
小埜 和夫
日立製作所中央研究所
-
竹村 理一郎
日立製作所中央研究所
-
山ノ内 路彦
日立製作所基礎研究所
-
三宅 潔
(株)日立製作所 電力・電機開発本部
-
山本 浩之
(株)日立製作所 基礎研究所
-
長谷川 晴弘
(株)日立製作所 基礎研究所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
杉田 恒
東北大学
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平家 誠嗣
日立中研
-
三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
山本 千早人
名大工
-
喜多 英治
筑波大・物工
著作論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- Fe16N2単結晶膜の強磁性共鳴の共鳴周波数依存性
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- イオンビームデポジション法による 高耐食・高純度鉄薄膜の形成
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
- CrMnPt反強磁性膜を用いたFe_3O_4膜への交換磁気異方性の付与
- Fe_N_2単結晶膜の垂直磁気異方性
- Fe_N_2単結晶膜の低温X線回折および巨大磁気モーメントの確認
- Fe_N_2単結晶膜の格子定数及び原子数密度による磁気モーメントの詳細測定
- Fe16N2単結晶薄膜の磁性 (特集 磁性体セラミックス)
- Fe_N_2単結晶膜の透過電子線回折像観察
- Fe16N2単結晶膜, マルテンサイト膜及びFe単結晶膜のホール抵抗の温度依存性
- 28a-PS-53 GaAs単結晶基板上に作製した高飽和磁束密度窒化鉄膜
- 高抵抗シールド膜を用いた狭ギャップ再生ヘッド
- CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気,電気特性に及ぼす膜形成条件の影響 : ソフト磁性材料
- Ni_Fe_超薄膜の飽和磁化と Dead Layer
- Fe_3O_4膜の極薄膜化における磁気・電気特性の変化
- ハーフメタル薄膜の磁気、伝導特性
- Au膜上のハーフメタルFe_3O_4薄膜の開発とその応用
- ハーフメタルFe_3O_4膜の開発と応用 : ハーフメタル適用GMR
- 高抵抗シールド膜を用いた再生ヘッドのR/W特性
- CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気電気特性に及ぼす膜形成条件の影響
- Fe_N_2単結晶膜の巨大飽和磁化と窒素の電子準位の関係
- 31p-S-3 窒化鉄膜(11at%N)の不規則-規則状態間の磁気特性
- 25a-N-4 巨大飽和磁化Fe_N_2膜のメスバウアー分光
- 25a-N-3 FMRで求めたFe_N_2のg因子と飽和磁化
- 27a-APS-50 Fe_N_2膜の結晶構造
- 27a-APS-49 Fe_N_2膜の磁化の温度変化
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- 8aWA-6 Fe_3O_4を用いたGMR膜の磁気抵抗効果と電気伝導(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)