28a-PS-53 GaAs単結晶基板上に作製した高飽和磁束密度窒化鉄膜
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-03-16
著者
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
-
小室 又洋
(株)日立製作所・ストレージシステム事業部
-
杉田 愃
東北大学電気通信研究所
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
高橋 宏昌
日立、中研
-
小室 又洋
日立、中研
-
杉田 愃
日立、中研
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
関連論文
- 21pGC-3 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音測定(21pGC 接合系,スピン起電力,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 25pPSA-25 トンネル磁気抵抗素子における非平衡電流雑音測定(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- Fe16N2単結晶膜の強磁性共鳴の共鳴周波数依存性
- 1)低飽和磁界を有するGMR多層膜(画像情報記録研究会)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 2Mビットのスピン注入方式不揮発性RAMを試作
- ソフトウェアエミュレーションによる磁気記録チャネルシミュレータ用PLLの検討
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- イオンビームデポジション法による 高耐食・高純度鉄薄膜の形成
- (7) イオンビームデポジションによる最近の物質形成研究(主題 : 新しい素材・材料の開発と周辺技術)(素材工学研究所第 2 回研究懇談会)(素材工学研究会記事)
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
- CrMnPt反強磁性膜を用いたFe_3O_4膜への交換磁気異方性の付与
- Fe_N_2単結晶膜の垂直磁気異方性
- CrMnPt反強磁性膜を用いたスピンバルブ
- Fe_N_2単結晶膜の低温X線回折および巨大磁気モーメントの確認
- Mn-Ir反強磁性層と磁性層との交換結合
- 5)Mn-Ir反強磁性層の組織とNi-Fe層との交換結合(画像情報記録研究会)
- CrMnPt反強磁性膜を用いたスピンバルブ
- Fe_N_2単結晶膜の格子定数及び原子数密度による磁気モーメントの詳細測定
- Ni-Fe/Mn-Ir多層膜の組織と交換結合
- Mn-Ir反強磁性層の組織とNi-Fe層との交換結合
- Mn-Ir反強磁性層の組織とNi-Fe層との交換結合
- MRヘッドの磁化容易方向と再生特性に関する数値解析
- 1)Ni-Fe層と反強磁性層の交換結合(画像情報記録研究会)
- Ni-Fe層と反強磁性層の交換結合
- Fe16N2単結晶薄膜の磁性 (特集 磁性体セラミックス)
- 反強磁性Mn-Ir膜とNi-Fe膜の交換結合
- Fe_N_2単結晶膜の透過電子線回折像観察
- Fe16N2単結晶膜, マルテンサイト膜及びFe単結晶膜のホール抵抗の温度依存性
- スピンバルブ構造膜における磁性層間の交換相互作用
- 28a-PS-53 GaAs単結晶基板上に作製した高飽和磁束密度窒化鉄膜
- 高抵抗シールド膜を用いた狭ギャップ再生ヘッド
- CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気,電気特性に及ぼす膜形成条件の影響 : ソフト磁性材料
- 数nm膜厚のパーマロイ薄膜の誘導磁気異方性
- 極薄パーマロイ薄膜における誘導磁気異方性
- 電極オーバーラップ型スピンバルブヘッドの電極構造とRIE法による電極加工
- 薄膜ヘッドプロセスへの反応性イオンエッチング法の適用
- 電極オーバーラップ型GMRヘッドの記録再生特性
- 電極オーバーラップ型GMRヘッドの記録再生特性
- Ni_Fe_超薄膜の飽和磁化と Dead Layer
- Fe_3O_4膜の極薄膜化における磁気・電気特性の変化
- ハーフメタル薄膜の磁気、伝導特性
- Au膜上のハーフメタルFe_3O_4薄膜の開発とその応用
- ハーフメタルFe_3O_4膜の開発と応用 : ハーフメタル適用GMR
- 単磁極ヘッドの外部磁界安定性に関するシミュレーション解析
- 高抵抗シールド膜を用いた再生ヘッドのR/W特性
- CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気電気特性に及ぼす膜形成条件の影響
- Fe_N_2単結晶膜の巨大飽和磁化と窒素の電子準位の関係
- 31p-S-3 窒化鉄膜(11at%N)の不規則-規則状態間の磁気特性
- 25a-N-4 巨大飽和磁化Fe_N_2膜のメスバウアー分光
- 25a-N-3 FMRで求めたFe_N_2のg因子と飽和磁化
- 27a-APS-50 Fe_N_2膜の結晶構造
- 27a-APS-49 Fe_N_2膜の磁化の温度変化
- 巨大磁気抵抗効果多層膜の結晶配向性の振動
- NiO層上の多層膜の磁気抵抗効果
- 29a-YQ-11 NiFe/Cu巨大磁気抵抗膜の熱起電力
- 高出力MRヘッド用NiFeX3元合金膜の磁気特性
- フェライト基板を用いた垂直ハードディスクの記録再生特性
- フェライト基板を用いた垂直ハードディスクの記録再生特性
- CoCrTa/Ti/M(M : CoZrNb, Fe, Co)垂直二層膜媒体の磁気特性と記録再生特性
- CoCrTa垂直磁気記録媒体の磁化の熱擾乱と磁気特性
- 垂直二層膜媒体の時間軸ノイズ解析
- PR等化における垂直磁気記録のノイズ特性
- 垂直磁気記録におけるオーバーライト機構の検討
- 単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性
- 垂直二層膜媒体のノイズ特性と分解能
- 単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性
- 25a-K-10 Fe_N_2単結晶薄膜の育成と巨大磁気モーメント
- 最尤復号における垂直磁気記録のノイズ相関
- 最尤復号における垂直磁気記録のノイズ相関
- C-7-8 PR4等化における垂直磁気記録のノイズ特性
- 垂直磁気記録媒体の低温における磁化反転機構
- 垂直磁気記録媒体の低温における磁化反転機構
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- 単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性
- 24a-G-19 Fe_16N_2膜の磁気特性と結晶構造の温度依存性
- 24a-G-18 Fe_16N_2膜の内部磁場分布
- 24a-G-17 Fe_16N_2膜のエピタキシャル成長条件
- 垂直二層膜磁気記録媒体の再生減磁に与える外部磁界の影響
- 垂直二層膜磁気記録媒体の再生減磁に与える外部磁界の影響
- 単磁極ヘッドと二層膜媒体に対する外部磁界の影響
- 単磁極ヘッドと二層膜媒体に対する外部磁界の影響
- 垂直二層膜媒体における再生減磁に対する単磁極ヘッドの影響
- シールド型MRヘッドの二層膜垂直磁化応答とノイズスペクトラム
- シールド型MRヘッドの二層膜垂直磁化応答とノイズスペクトラム
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- 低飽和磁界を有するGMR多層膜
- 8-7 垂直二層膜媒体と長手磁気記録媒体におけるイレーズバンドの検討
- 薄膜導体励磁型単磁極浮上ヘッドのオフトラックオーバーライト特性
- 薄膜導体励磁型単磁極浮上ヘッドのオフトラックオーバーライト特性
- CoCrTa/Ti/CoZrNb垂直二層膜媒体におけるTi層厚の低減と磁気特性
- 単磁極記録ヘッド・二層膜垂直媒体におけるエラーレート特性評価
- 時間軸測定手法を用いた垂直磁気記録媒体ノイズの測定
- 時間軸測定手法を用いた垂直磁気記録媒体ノイズの測定
- 8aWA-6 Fe_3O_4を用いたGMR膜の磁気抵抗効果と電気伝導(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)