ハーフメタルFe_3O_4膜の開発と応用 : ハーフメタル適用GMR
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概要
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Au下地膜上に低温(<573K)かつ、薄膜(<40nm)で良好な特性をもつFe_3O_4膜をスパッタリング法により形成した.このFe_3O_4薄膜は(111)配向膜で、Au(111)面上に成長しており、室温における飽和磁化は、膜厚10nm以上では約410emu/cm^3である.また、室温における電気抵抗率は18000μΩcmである.抵抗の温度依存性から120K付近におけるVerwey転移を確認した.これらの値は、バルクの値に近く、良好な特性をもつFe_3O_4薄膜が形成された.さらに、この膜を用いたAu/Fe_3O_4/Au/NiFeなる構造のCPP-GMR素子(2μm×2μm)を試作し、評価したところ、Fe_3O_4層厚が20nmの素子でMR比が0.04%、面積抵抗ARが3.6Ωμm^2、面積あたりの出力△RAとして1.5mΩμm^2のGMR出力が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-28
著者
-
高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
-
浅野 秀文
名古屋大学
-
松井 正顯
名大工
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
早川 純
日立製作所基礎研究所
-
早川 純
日立製作所 基礎研究所
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
来田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
-
山本 千早人
名古屋大学
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
-
伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
-
添谷 進
日立製作所中央研究所
-
Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
-
來田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
-
Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
来田 歩
(株)日立基礎研
-
山本 千早人
名古屋大学大学院工学研究科
-
Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
-
早川 純
日立 中研
-
早川 純
日立 基礎研
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
-
松井 正顕
名古屋大学
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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