Transmission electron microscopy of La_<0.7>Ca_<0.3> MnO_3 CMR films
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Pressの論文
- 1999-08-01
著者
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
Arita Masashi
Graduate School Of Information Science And Technology Hokkaido Univ.
-
Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
-
Arita M
Japan Atomic Energy Agency
-
Arita Masashi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
HAMADA Kouichi
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
-
OKADA Akira
Graduate School of Engineering, Hokkaido University
-
ASANO Hidefumi
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
MATSUI Masaaki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
TAKAHASHI Heishichiro
Center for Advanced Research of Energy Technology, Hokkaido University
-
SASAKI Akira
Graduate School of Engineering, Hokkaido University
-
HAYAKAWA Jun
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Hayakawa Jun
Hitachi Ltd. Central Research Laboratory
-
Hayakawa Jun
Pharmaceutical Research Laboratories Toray Industries Inc.
-
Sakuma Akimasa
Hitachi Metals Ltd.
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
-
Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Okada Akira
Faculty Of Science Of Living Osnka City University
-
Okada A
Hokkaido Univ. Sapporo‐shi Jpn
-
Hamada K
Kyoto Univ. Kyoto
-
Hamada Kazuyuki
Department Of Clinical And Laboratory Medicine Akita University School Of Medicine
-
Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
-
Okada Akira
Department Of Environmental Design. Faculty Of Science Of Living. Osaka City University
-
Hamada K
Department Of Basic Science The University Of Tokyo
-
Hamada Koichi
Department Of Forest Resources Science Faculty Of Agriculture Shizuoka University
-
Hamada Koichi
National Epilepsy Center Shizuoka Higashi Hospital
-
Okada A
Graduate School Of Natural Science And Technology Okayama University
-
Takahashi Heishichiro
Center For Advanced Research Of Energy Technology Hokkaido University
-
Hamada Kouichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
Okada Akira
Graduate School Of Blosczence And Biotechnology Tokyo Institute Of Technology:research Center For Al
-
Sasaki Akira
Graduate School Of Computer Science And Engineering The University Of Aizu
関連論文
- MgAl_2O_4基板上のホイスラー合金の薄膜・人工格子の構造と磁性(光記録,磁気記録)
- MgAl_2O_4基板上のホイスラー合金の薄膜・人工格子の構造と磁性
- Sr_2CrReO_6薄膜の放射光光電子分光
- La0.7Sr0.3MnO3/Bi1-xBaxFeO3接合におけるスピンフィルター効果
- 格子歪によるFe2VSi薄膜の反強磁性の安定化
- [Fe(Ni)/Cu]多層膜の膜構造と磁気抵抗効果 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- [Fe(Ni)/Cu]多層膜の膜構造と磁気抵抗効果
- 反強磁性体SrLaVMoO6の構造とスピン分極率
- 磁場中試料回転による非磁性物質の一軸配向挙動解析
- 小特集の企画にあたって
- [Co/Cr]エピタキシャル多層膜の磁気特性
- [Co/Cr]エピタキシャル多層膜の磁気特性 -垂直磁気異方性と磁気抵抗効果-
- Bi系マルチフェロイック薄膜の誘電・磁気特性
- La_Sr_MnO_3多結晶薄膜の粒径制御と低磁場磁気抵抗効果(スピンエレクトロニクス)
- Electron Microscopy of La_Ca_MnO_3
- Magnetic microstructure of NiFe/Cu/NiFe films observed by Lorentz microscopy
- Ion-Shadow Sputter for the Production of STM Tips
- Transmission electron microscopy of La_Ca_ MnO_3 CMR films
- MgAl_2O_4基板上のホイスラー合金の薄膜・人工格子の構造と磁性(光記録,磁気記録)
- Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array
- Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
- Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array
- Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
- ホイスラー合金Co_2MnSi薄膜の作製とその磁性(薄膜)
- ホイスラー合金Co_2MnSi薄膜の作製とその磁性
- PVP中に分散され、NiまたはCoで被覆したPdまたはPtナノ粒子の磁気特性
- PVP中に分散したFe-Ptナノ粒子の磁気特性
- 結合型[Co(Fe)/Cu]多層膜の結晶配向面とGMR効果
- Fe_3O_4薄膜および三層膜の作製
- FeCo/Ta/Fe-C/Ta/Fe薄膜の磁気抵抗効果
- DyFe_2薄膜の巨大磁歪
- Fe2Cr1-xVxSiホイスラー合金の磁性とスピン分極率
- Fe_2Cr_Ti_xSiホイスラー合金の構造と磁性(スピンエレクトロニクス)
- [γ-Fe/Cu]と[α-Fe/Au]の磁気光学カー効果
- La-Ca-Mn-O薄膜の微細構造に及ぼす基板の影響
- [Co(Fe)/Cu]多層膜のGMR効果に対するスパッタガス雰囲気の影響
- 微細加工されたLa_Sr_MnO_3薄膜のアニールによる回復効果
- 非単結晶基板上における(100)高配向Co_2MnGe薄膜及びそれを用いた強磁性体トンネル接合の作製
- 高品質Co_2MnX(X=Si, Ge)薄膜の作製とその強磁性トンネル接合の特性(薄膜)
- 高品質Co_2MnX(X=Si, Ge)配向膜の作製とそのMTJ
- Multifunctional Device Using Nanodot Array
- Multifunctional device by using a quantum dot array
- 強磁性トンネル接合Fe/CeO_2/Fe-Coの磁気抵抗効果とXPS観察
- La_Ca_MnO_3 薄膜の微細構造
- Fe_3O_4膜の極薄膜化における磁気・電気特性の変化
- ハーフメタル薄膜の磁気、伝導特性
- Au膜上のハーフメタルFe_3O_4薄膜の開発とその応用
- ハーフメタルFe_3O_4膜の開発と応用 : ハーフメタル適用GMR
- In situ Conductance Measurement of a Limited Number of Nanoparticles during Transmission Electron Microscopy Observation
- Co基ホイスラー合金を用いたGMR積層膜の作製(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- 高キュリー温度Sr_2CrReO_6薄膜のXPS観察(磁気物理)
- Sr_2FeMoO_6エピタキシャル薄膜の表面特性(薄膜)
- アンドレーフ反射によるLa_Sr_MnO_3界面スピン分極率の測定(薄膜)
- Mg_Fe_Ti_xO_4(0≦x≦0.5)のキュリー温度と磁気交換相互作用(磁性体物理・超伝導)
- アンドレーフ反射による強磁性体接合界面のスピン分極率測定(薄膜)
- アンドレーフ反射による強磁性体接合界面のスピン分極率測定
- Ni_2MnGaの低温変態と磁歪(磁性体物理・超伝導)
- アンドレーフ反射による強磁性体接合界面のスピン分極率測定
- ハーフメタルとその強磁性トンネル接合
- ハーフメタル強磁性体Sr_2FeMoO_6上への絶縁層のヘテロエピタキシー(薄膜)
- Fe2VSi薄膜の歪効果と電気伝導特性
- CO_Fe_/SrTiO_3/La_Sr_MnO_3接合のインバースTMRのバイアス依存性
- ハーフメタル強磁性体を用いたスピントンネル素子とその応用
- ハーフメタル強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果とその伝導物性
- Co_Fe_/SrTiO_3/La_Sr_MnO_3接合におけるインバースTMR効果のバイアス依存性 : 磁気抵抗効果・交換結合
- Bias Voltage Dependence of Tunnel Magnetoresistance Effect in Spin-Valve Type MnIr/NiFe/Co_Fe_/SrTiO_3/La_Sr_MnO_3 Tunnel Junctions
- MgAl_2O_4基板上に成長した格子整合系ホイスラー合金人工格子の結晶構造と磁気特性の相関(光記録,一般)
- MgAl_2O_4基板上のホイスラー合金の薄膜・人工格子の構造と磁性
- CoFe_2O_4/Ba_Sr_TiO_3複合構造のマルチフェロイック特性(光記録,一般)
- ハーフメタルSr_2FeMoO_6上への絶縁層のヘテロエピタキシー
- 格子整合バッファーBa_Sr_TiO_3を用いたSr_2FeMoO_6薄膜の作製
- Sr_2FeMoO_6薄膜の磁気・電気特性
- CoFe_2O_4/Ba_Sr_TiO_3複合構造のマルチフェロイック特性(光記録,一般)
- MgAl_2O_4基板上に成長した格子整合系ホイスラー合金人工格子の結晶構造と磁気特性の相関(光記録,一般)
- La_Sr_MnO_3トンネル接合のTMR特性(薄膜)
- 高キュリー温度ペロブスカイト酸化物の物性と薄膜成長
- La_Sr_MnO_3トンネル接合のTMR特性
- 23pYB-10 ハーフメタル強磁性体を用いたスピンバルブ型トンネル接合の磁気抵抗効果
- ハーフメタル強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果とその伝導物性
- 26pEE-3 ノード準粒子分散を用いたBi2212の結合スペクトルの研究(26pEE 銅酸化物2(スペクトロスコピー・輸送特性・置換効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pED-8 Ta_2NiSe_5の角度分解光電子分光スペクトルの温度変化(27pED マンガン系物質(マンガン酸化物(構造),遷移金属ニクタイド),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Coherent Epitaxy and Magnetic Properties of Sr_2FeMoO_6 Thin Films on Ba_Sr_TiO_3-Buffered SrTiO_3 Substrates
- 25pPSB-13 BaFe_2As_2における三次元的フェルミ面の軌道成分(25pPSB 領域8ポスターセッション(低温1(鉄砒素系・銅酸化物ほか)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aHB-3 BaVS_3の電子状態(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
- イオンビームスパッタリング(IBS)法によるFe_3C薄膜の作製とその磁気特性
- 26aHG-3 Controlling the topological surface states of Bi_2Se_3 by guest atoms intercalation
- Room-Temperature Magnetic and Magneto-Optical Properties of Sr_2FeMoO_6 Thin Films : Magnetism
- マグネトロンスパッタ法により作製したSr_2FeMoO_6薄膜の磁性
- マグネトロンスパッタ法により作製したSr_2FeMoO_6の磁性
- フォトリソグラフィによるFeCo/Al_2O_3Fe接合の作製
- Mn酸化物トンネル接合の磁気抵抗効果
- 29p-E-2 ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の応力効果
- 26p-YS-3 強磁性トンネル接合Fe, Co/SrTiO_3/La_Ca_MnO_3の作製と磁性及び電気伝導
- La_Ca_Mn_nO_薄膜の応力効果
- 23pTR-2 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aGL-3 BaFe_2(As_P_x)_2のフェルミ面と超伝導ギャップ(24aGL 鉄砒素系(122系電子状態・ギャップ構造),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pTC-5 Relocation of the topological state of Bi_2Se_3 beneath the surface by Ag intercalation
- Effect of Arrangement of Input Gates on Logic Switching Characteristics of Nanodot Array Device
- 局在と遍歴に魅せられて