ハーフメタル強磁性体Sr_2FeMoO_6上への絶縁層のヘテロエピタキシー(薄膜)
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概要
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Insulator layers of Nd_2CuO_4 (NCO) and Ba_<0.4>Sr_<0.6>TiO_3 (BSTO), which have a good lattice matching to SFMO, were epitaxialy grown on SFMO by magnetron sputtering in different preparation atmospheres (Ar, Ar+H_2, Ar+O_2). The quality of SFMO was evaluated by measurement of magnetization and crystal structure. We suggest that insulator materials having a small misfit to SFMO and the same preparation condition (Ar+H_2) as SFMO are suitable as insulators of TMR junctions. We also demonstrated the hetero-epitaxial growth of SFMO/NCO/ SFMO trilayers.
- 2004-04-01
著者
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
浅野 秀文
名古屋大学
-
松井 正顯
名大工
-
松井 正顯
名古屋大学大学院工学研究科
-
Akinaga Hiroyuki
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
-
小原 安弘
名古屋大学大学院工学研究科
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
-
Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
-
都築 敦
名古屋大学大学院工学研究科
-
松井 正顕
名古屋大学
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