高品質Co_2MnX(X=Si, Ge)薄膜の作製とその強磁性トンネル接合の特性(薄膜)
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概要
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Co_2MnX (X=Si, Ge) thin films epitaxially grown by the ion beam sputtering (IBS) method were investigated. Co_2MnGe films grown on MgO(001) substrates at temperatures from 400℃ to 600℃ were epitaxial and showed the same saturation magnetization as the bulk value. To improve the high surface flatness of these thin films, the roughness as a function of substrate temperature was investigated for 500 Å and 1000 Å film thicknesses. Smaller thickness and lower substrate temperature improved the surface flatness but decreased the saturation magnetization. The tunnel magnetoresistance (TMR) effect of junctions using 500Å Co_2MnSi film deposited on a Ta buffer layer at 500℃ was 0.4%.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2005-03-01
著者
-
竹田 陽一
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
浅野 秀文
名古屋大学
-
松井 正顯
名大工
-
松井 正顯
名古屋大学大学院工学研究科
-
角田 航介
名古屋大学大学院工学研究科
-
Akinaga Hiroyuki
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
-
大森 和彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
-
松井 正顕
名古屋大学
-
竹田 陽一
名古屋大学
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