La_<0.7>Sr_<0.3>MnO_3多結晶薄膜の粒径制御と低磁場磁気抵抗効果(スピンエレクトロニクス)
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概要
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La_<0.7>Sr_<0.3>MnO_3 (LSMO) polycrystalline thin films were prepared by sputtering on YSZ (yttria stabilized zirconia) /Ba_<0.4>Sr_<0.6>TiO_3 (BSTO)-buffered Si substrate. The grain sizes of LSMO films were controlled by changing the substrate temperature and thickness of the BSTO buffer layers; we then investigated the low field magnetoresistance of LSMO films. We found that MR increased with decreasing LSMO grain sizes and increasing film resistivities. The results and mechanism of MR are discussed in terms of the register-network model based on intergrain spin polarized tunneling.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2008-05-01
著者
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
浅野 秀文
名古屋大学
-
松井 正顯
名大工
-
松井 正顯
名古屋大学大学院工学研究科
-
加藤 史也
名古屋大学大学院工学研究科
-
岡 武宏
名古屋大学大学院工学研究科
-
松井 正顯
豊田理化学研究所
-
Akinaga Hiroyuki
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
-
Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
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