格子歪によるFe2VSi薄膜の反強磁性の安定化
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概要
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To comprehend the influence of lattice distortion in a Heusler alloy, the structural and electrical properties of epitaxial thin films of Fe2VSi on (001) MgAl2O4 and MgO substrates, were investigated. Structural characterization revealed that the films on MgAl2O4 (a lattice mismatch to Fe2VSi of 0.7 %) were in tetragonally strained states, while the films on MgO (lattice mismatch of 4.9 %) were in relaxed- strain states close to a cubic lattice. We will also demonstrate that the epitaxial strain imposed by the substrates significantly modifies the physical properties of the films, and enhances the antiferromagnetic transition temperature of Fe2VSi up to 193 K. These results are discussed in terms of the electronic structure in Fe2VSi.
著者
-
竹田 陽一
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
深谷 直人
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
植田 研二
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
浅野 秀文
名古屋大学
-
植田 研二
名古屋大学大学院工学研究科
-
深谷 直人
名古屋大学大学院工学研究科
-
竹田 陽一
名古屋大学大学院工学研究科
-
竹田 陽一
名古屋大学
-
植田 研二
名古屋大学
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