アンドレーフ反射による強磁性体接合界面のスピン分極率測定(薄膜)
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概要
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We report studies on Andreev reflection measurements of ferromagnetic materials at junction interfaces using AlN/NbN junctions. We found that the junction resistance R can be controlled by varying the thickness and growth temperature of an AlN interlayer. The spin polarization of Co was determined to be P_<Co>≒0.44 from theoretical fitting of the conductance data for these junctions. The behavior of P_<Co> and the dimensionless barrier parameter Z depending on the junction resistance R is discussed.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2005-04-01
著者
-
浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
杉山 幹人
名古屋大学大学院工学研究科
-
松井 正顯
名古屋大学工学部
-
浅野 秀文
名古屋大学
-
松井 正顯
名大工
-
松井 正顯
名古屋大学大学院工学研究科
-
Akinaga Hiroyuki
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
-
小塚 規史
名古屋大学大学院工学研究科
-
今枝 和正
名古屋大学大学院工学研究科
-
伊藤 正康
名古屋大学大学院工学研究科
-
Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
-
松井 正顯
名古屋大学大学院
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