逆ペロブスカイトMn3GaN薄膜の構造と電気的特性

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概要

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•   Mn3GaN thin films were grown on MgO and SrTiO3 substrates by ion beam sputtering, and their structural and electric properties have been investigated. Control of growth temperature is important to obtain single phase Mn3GaN thin films. Resistivity of Mn3GaN thin film increase with increasing temperature and reach a maximum at 286 K-297 K. The maximum resistivity is attributed to the magnetic transition from antiferromagnetism to paramagnetism. On SrTiO3 substrates which have 0.2% lattice mismatch to Mn3GaN, single crystal Mn3GaN thin films were grown.

• 社団法人　日本磁気学会の論文

著者

• 浅野 秀文

  名古屋大学

• 植田 研二

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田代 裕樹

  名古屋大学工学研究科

• 宮脇 哲也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 植田 研二

  名古屋大学

• 田代 裕樹

  名古屋大学大学院工学研究科

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