ダイヤモンド半導体を用いた強磁性ショットキー接合の作製

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概要

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•   Ferromagnetic Schottky junctions using Co1-xFex or Ni1-x Fex (x = 0∼1) were fabricated on H-terminated diamond and their interfacial characteristics were evaluated. A clear work function dependence of the Schottky barrier height (ΦB) was obtained for these junctions, indicating that the Schottky barrier height between H-terminated diamond and ferromagnetic metals can be controlled by selecting metals with appropriate work functions. ΦB for Ni and NiFe, which have higher work functions above 5 eV, is lower than ΦB for other ferromagnetic metals. These results indicate that ferromagnetic metals with higher work function are promising for spin injection into diamond semiconductors.

著者

• 浅野 秀文

  名古屋大学

• 浅野 秀文

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 植田 研二

  名古屋大学大学院工学研究科

• 深谷 直人

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮脇 哲也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮脇 哲也

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 宗宮 嵩

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 植田 研二

  名古屋大学

• 植田 研二

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

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