Fe_<16>N_2単結晶膜の格子定数及び原子数密度による磁気モーメントの詳細測定
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
-
Fe16N2単結晶膜の強磁性共鳴の共鳴周波数依存性
-
1)低飽和磁界を有するGMR多層膜(画像情報記録研究会)
-
双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
-
24p-PS-45 磁性流体中の強磁性微粒子の凝集、成長過程
-
24p-W-23 光散乱実験による磁性流体中の強磁性 : コロイド粒子間の相互作用エネルギーの導出II
-
3p-H-16 光散乱実験による磁性流体中の強磁性コロイド粒子間の相互作用エネルギーの導出
-
3p-H-15 弱磁場における磁性流体の光磁気複屈折と磁化過程
-
3p-H-14 磁性流体のクラスター形成とスビノーダル分解
-
31a-H-13 ラテックス型磁性流体の磁場中冷却による誘導磁気異方性
-
31a-H-12 磁性流体のクラスター形成と光錯乱
-
31a-H-11 粒子分散安定性からみた磁性流体光磁気効果
-
4a-F-6 ラテックス型磁性流体の光磁気效果
-
4a-F-5 磁性流体薄膜の赤外領域における磁気複屈折
-
3a-L-4 磁性流体薄膜の光吸収の波長依存性
-
積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
ソフトウェアエミュレーションによる磁気記録チャネルシミュレータ用PLLの検討
-
双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
19aZC-5 Co-Al-Coスピン蓄積素子における出力信号の電極間距離依存性(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
イオンビームデポジション法による 高耐食・高純度鉄薄膜の形成
-
交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
-
スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
-
CrMnPt反強磁性膜を用いたFe_3O_4膜への交換磁気異方性の付与
-
Fe_N_2単結晶膜の垂直磁気異方性
-
CrMnPt反強磁性膜を用いたスピンバルブ
-
Fe_N_2単結晶膜の低温X線回折および巨大磁気モーメントの確認
-
Mn-Ir反強磁性層と磁性層との交換結合
-
5)Mn-Ir反強磁性層の組織とNi-Fe層との交換結合(画像情報記録研究会)
-
CrMnPt反強磁性膜を用いたスピンバルブ
-
Fe_N_2単結晶膜の格子定数及び原子数密度による磁気モーメントの詳細測定
-
Ni-Fe/Mn-Ir多層膜の組織と交換結合
-
Mn-Ir反強磁性層の組織とNi-Fe層との交換結合
-
Mn-Ir反強磁性層の組織とNi-Fe層との交換結合
-
MRヘッドの磁化容易方向と再生特性に関する数値解析
-
1)Ni-Fe層と反強磁性層の交換結合(画像情報記録研究会)
-
Ni-Fe層と反強磁性層の交換結合
-
Fe16N2単結晶薄膜の磁性 (特集 磁性体セラミックス)
-
反強磁性Mn-Ir膜とNi-Fe膜の交換結合
-
Fe_N_2単結晶膜の透過電子線回折像観察
-
Fe16N2単結晶膜, マルテンサイト膜及びFe単結晶膜のホール抵抗の温度依存性
-
スピンバルブ構造膜における磁性層間の交換相互作用
-
28a-PS-53 GaAs単結晶基板上に作製した高飽和磁束密度窒化鉄膜
-
高抵抗シールド膜を用いた狭ギャップ再生ヘッド
-
CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気,電気特性に及ぼす膜形成条件の影響 : ソフト磁性材料
-
数nm膜厚のパーマロイ薄膜の誘導磁気異方性
-
極薄パーマロイ薄膜における誘導磁気異方性
-
電極オーバーラップ型スピンバルブヘッドの電極構造とRIE法による電極加工
-
薄膜ヘッドプロセスへの反応性イオンエッチング法の適用
-
電極オーバーラップ型GMRヘッドの記録再生特性
-
電極オーバーラップ型GMRヘッドの記録再生特性
-
Ni_Fe_超薄膜の飽和磁化と Dead Layer
-
Fe_3O_4膜の極薄膜化における磁気・電気特性の変化
-
ハーフメタル薄膜の磁気、伝導特性
-
Au膜上のハーフメタルFe_3O_4薄膜の開発とその応用
-
ハーフメタルFe_3O_4膜の開発と応用 : ハーフメタル適用GMR
-
単磁極ヘッドの外部磁界安定性に関するシミュレーション解析
-
高抵抗シールド膜を用いた再生ヘッドのR/W特性
-
CoFe/Al_2O_3グラニュラ膜の磁気電気特性に及ぼす膜形成条件の影響
-
Fe_N_2単結晶膜の巨大飽和磁化と窒素の電子準位の関係
-
31p-S-3 窒化鉄膜(11at%N)の不規則-規則状態間の磁気特性
-
25a-N-4 巨大飽和磁化Fe_N_2膜のメスバウアー分光
-
25a-N-3 FMRで求めたFe_N_2のg因子と飽和磁化
-
27a-APS-50 Fe_N_2膜の結晶構造
-
27a-APS-49 Fe_N_2膜の磁化の温度変化
-
巨大磁気抵抗効果多層膜の結晶配向性の振動
-
NiO層上の多層膜の磁気抵抗効果
-
29a-YQ-11 NiFe/Cu巨大磁気抵抗膜の熱起電力
-
高出力MRヘッド用NiFeX3元合金膜の磁気特性
-
フェライト基板を用いた垂直ハードディスクの記録再生特性
-
フェライト基板を用いた垂直ハードディスクの記録再生特性
-
CoCrTa/Ti/M(M : CoZrNb, Fe, Co)垂直二層膜媒体の磁気特性と記録再生特性
-
CoCrTa垂直磁気記録媒体の磁化の熱擾乱と磁気特性
-
垂直二層膜媒体の時間軸ノイズ解析
-
PR等化における垂直磁気記録のノイズ特性
-
垂直磁気記録におけるオーバーライト機構の検討
-
単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性
-
垂直二層膜媒体のノイズ特性と分解能
-
単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性
-
25a-K-10 Fe_N_2単結晶薄膜の育成と巨大磁気モーメント
-
最尤復号における垂直磁気記録のノイズ相関
-
最尤復号における垂直磁気記録のノイズ相関
-
C-7-8 PR4等化における垂直磁気記録のノイズ特性
-
垂直磁気記録媒体の低温における磁化反転機構
-
垂直磁気記録媒体の低温における磁化反転機構
-
高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
-
単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性
-
24a-G-19 Fe_16N_2膜の磁気特性と結晶構造の温度依存性
-
24a-G-18 Fe_16N_2膜の内部磁場分布
-
24a-G-17 Fe_16N_2膜のエピタキシャル成長条件
-
垂直二層膜磁気記録媒体の再生減磁に与える外部磁界の影響
-
垂直二層膜磁気記録媒体の再生減磁に与える外部磁界の影響
-
単磁極ヘッドと二層膜媒体に対する外部磁界の影響
-
単磁極ヘッドと二層膜媒体に対する外部磁界の影響
-
垂直二層膜媒体における再生減磁に対する単磁極ヘッドの影響
-
シールド型MRヘッドの二層膜垂直磁化応答とノイズスペクトラム
-
シールド型MRヘッドの二層膜垂直磁化応答とノイズスペクトラム
-
双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
-
低飽和磁界を有するGMR多層膜
-
8aWA-6 Fe_3O_4を用いたGMR膜の磁気抵抗効果と電気伝導(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク